【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及出炉装置，具体的说是一种二极管硅片生产用扩散高温出炉装置。
技术介绍
1、高温扩散炉是一种用于半导体制造、材料处理和高温实验等领域的特殊炉设备，它主要用于在高温下对材料进行扩散处理，常见应用包括半导体晶圆的掺杂、金属薄膜的扩散、氧化硅生长、玻璃和陶瓷的热处理等，高温扩散炉是利用高温环境促使材料中的不同元素或化学物质通过扩散过程相互作用，通常是将掺杂物通过热处理扩散到硅晶片的表面或内部，以改变晶体的电学性质，高温扩散炉的出炉装置是用于在扩散炉的工作过程结束后，将处理过的工件从炉内安全、顺利地取出的设备。
2、公告号为cn118407138b的中国专利，公开了一种太阳电池制造用硼扩散炉，包括内置加热器的扩散炉主体，该申请通过设计气体混合组件配合进气管二驱动携带硅片的固定机构实现硅片的旋转式气体扩散，保证硅片气体扩散的均匀度，同时保证气体混合效果，进一步提高后续硅片气体扩散质量。
3、公告号为cn114000202b的中国专利，公开了晶硅太阳能电池变温扩散炉，包括炉体，该专利技术能够在关闭扩散炉的炉门时，...
【技术保护点】
1.一种二极管硅片生产用扩散高温出炉装置，包括机体（1），所述机体（1）的内侧开设有放置腔（2），所述机体（1）的一侧贯穿开设有出口（3），其特征在于：所述机体（1）的内侧设置有加热炉（12），所述加热炉（12）的内部贯穿安装有多个输风管（13）；所述加热炉（12）远离出口（3）的一侧内壁固定安装有两个导向杆（14），所述导向杆（14）的外侧滑动装套有活动封板（15），所述活动封板（15）靠近出口（3）的一侧固定安装有卡接杆（16），所述导向杆（14）的设置有套管（7），所述套管（7）的顶部放置有多个圆硅片（10），所述套管（7）的顶部设置有卡接机构（17），所述卡接...
【技术特征摘要】
1.一种二极管硅片生产用扩散高温出炉装置，包括机体（1），所述机体（1）的内侧开设有放置腔（2），所述机体（1）的一侧贯穿开设有出口（3），其特征在于：所述机体（1）的内侧设置有加热炉（12），所述加热炉（12）的内部贯穿安装有多个输风管（13）；所述加热炉（12）远离出口（3）的一侧内壁固定安装有两个导向杆（14），所述导向杆（14）的外侧滑动装套有活动封板（15），所述活动封板（15）靠近出口（3）的一侧固定安装有卡接杆（16），所述导向杆（14）的设置有套管（7），所述套管（7）的顶部放置有多个圆硅片（10），所述套管（7）的顶部设置有卡接机构（17），所述卡接机构（17）包括有卡接板（1704），所述放置腔（2）的内侧靠近出口（3）的位置设置有支板（23），所述支板（23）的内侧设置有前封机构（26），所述前封机构（26）包括有两个半封板（2604）；
2.根据权利要求1所述的一种二极管硅片生产用扩散高温出炉装置，其特征在于：所述放置腔（2）的底壁内侧固定安装有固定台（4），固定台（4）的内部固定安装有两个伸缩杆（5），伸缩杆（5）贯穿机体（1）的一侧，伸缩杆（5）的输出端固定安装有前封板（6），且前封板（6）位于机体（1）的一侧，前封板（6）用于将出口（3）密封。
3.根据权利要求1所述的一种二极管硅片生产用扩散高温出炉装置，其特征在于：所述套管（7）的一端与前封板（6）靠近出口（3）的一侧固定连接，套管（7）贯穿位于出口（3）的内侧，套管（7）的外侧固定安装有密封板（8），所述加热炉（12）的内侧开设有加热腔，且一侧为开口状态，前封板（6）与加热炉（12）的开口一侧接触，前密封板（8）用于将加热炉（12）密封，套管（7）的外侧固定安装有多个载物架（9），圆硅片（10）放置于载物架（9）的顶部。
4.根据权利要求2所述的一种二极管硅片生产用扩散高温出炉装置，其特征在于：所述固定台（4）的顶部固定安装有两个支撑架（11），加热炉（12）固定安装于支撑架（11）的顶部，输风管（13）靠近出口（3）的一端为输入端，输风管（13）的输入端有多个管口，输风管（13）的另一端为输出端，输风管（13）的两端贯穿加热炉（12）的内部，且输风管（13）的主体部分位于加热炉（12）的外侧。
5.根据权利要求3所述的一种二极管硅片生产用扩散高温出炉装置，其特征在于：所述套管（7）的顶壁内侧开设有滑槽（18），导向杆（14）的顶部固定安装有三角板...
【专利技术属性】
技术研发人员：徐海涛，程文娟，张光展，李德鹏，李中亮，
申请(专利权)人：青岛金汇源电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
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