【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体电子探测，尤其是涉及一种微通道板电压调整方法、装置、设备及介质。
技术介绍
1、在当今科学技术中，快速且精准地识别低含量金属元素，尤其是其在复杂环境下的应用，是一个亟待解决的难题。现有的技术虽然在一定程度上能够实现元素的检测，但都存在不同的局限性。例如，x射线吸收技术因其成像的模糊性，难以清晰辨识物质成分和金属形态；荧光技术则受到信号强度较弱及噪声干扰的影响，导致准确识别困难；而x射线光电子能谱技术虽然能够精准分辨低含量元素，但其高真空要求和探测设备稳定性问题，使得在长时间使用后出现损耗或故障，限制了其在航天领域的应用。
2、常规探测器使用单个微通道板，microchannel plate，mcp，在高真空条件下对电子增益放大进而探测，通过对微通道板设置偏压，电子进入到微通道板在电场下加速在微通道板内壁产生二次电子进而放大，随着偏压的增加，单个微通道板最大增益达到~104进而饱和，无法实现更高的增益，不能满足业内对高计数率的需求；使用二级或三级微通道板，排列成v型或z型，可以逐级放大，在高偏压条件下，虽然可以...
【技术保护点】
1.一种微通道板电压调整方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的微通道板电压调整方法，其特征在于，所述对电压初始参数分析得到第一待调节电压参数的具体步骤为：
3.根据权利要求1所述的微通道板电压调整方法，其特征在于，所述对电压初始参数分析得到第二待调节电压参数的具体步骤为：
4.根据权利要求1所述的微通道板电压调整方法，其特征在于，所述光斑指标组信息包括光斑强度信息、光斑尺寸信息和光斑中心位置信息。
5.根据权利要求4所述的微通道板电压调整方法，其特征在于，所述第一待调节电压参数包括初始一级MCP偏压参数、初始...
【技术特征摘要】
1.一种微通道板电压调整方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的微通道板电压调整方法，其特征在于，所述对电压初始参数分析得到第一待调节电压参数的具体步骤为：
3.根据权利要求1所述的微通道板电压调整方法，其特征在于，所述对电压初始参数分析得到第二待调节电压参数的具体步骤为：
4.根据权利要求1所述的微通道板电压调整方法，其特征在于，所述光斑指标组信息包括光斑强度信息、光斑尺寸信息和光斑中心位置信息。
5.根据权利要求4所述的微通道板电压调整方法，其特征在于，所述第一待调节电压参数包括初始一级mcp偏压参数、初始第一mcp间隙电压和初始二级mcp偏压参数。
6.根据权利要求5所述的微通道板电压调整方法，其特征在于，所述对第一待调节电压参数进行第一参数测试并获取测试结果，得到光斑指标组信息，对光斑指标组信息进行第一电压优化分析，在光斑指标组信息达到优化条件的情况下，得到对应光斑指标组信息的第一优化电压参数的具体步骤为：
7.根据权利要求4所述的微通道板电压调整方法，其特征在于，所述第二待调节电压参数包括初始一级mcp偏压参数、初始第一mcp间隙电压、初始二级mcp偏压参数、初始第二mcp间隙电压和初始三级mcp偏压参数。
8.根据权利要求7所述的微通道板电压调整方法，其特征在于，所述对第二待调节电压参数进行第二参数测试并获取测试结果，得到光斑指标组信息，对光斑指标组信息进...
【专利技术属性】
技术研发人员：请求不公布姓名，请求不公布姓名，请求不公布姓名，请求不公布姓名，
申请(专利权)人：深圳市埃芯半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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