【技术实现步骤摘要】
本公开涉及半导体，尤其涉及一种半导体结构及其制造方法。
技术介绍
1、随着半导体技术的发展，通过中介层将不同类型的芯片封装在一起，逐渐成为了封装技术发展的趋势。相关技术中，中介层中通常设置有深沟槽电容(dtc，deep trenchcapacitor)作为去耦电容，用于减少耦连到中介层的临近的半导体器件之间的信号噪声和泄漏。
2、然而，由于中介层上的深沟槽电容阵列不具备隔绝结构，导致深沟槽电容阵列具有较大的排除区域(keep-out-zone，koz)，深沟槽电容阵列与中介层上的其他器件之间存在较大的寄生电容，容易对其他器件造成干扰。
技术实现思路
1、有鉴于此，本公开实施例为解决
技术介绍
中存在的技术问题而提供一种半导体结构及其制造方法。
2、本公开实施例提供了一种半导体结构，包括：中介层，所述中介层包括深沟槽电容阵列和设置于所述深沟槽电容阵列之间的隔离结构；其中，所述深沟槽电容阵列包括多个深沟槽电容，所述隔离结构至少部分环绕所述深沟槽电容阵列最边缘侧的深沟槽电容。
3、在本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，
3.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述隔离结构包括第一隔离结构，位于所述深沟槽电容阵列之间的中介层中设置有隔离沟槽，所述第一隔离结构位于所述隔离沟槽中；对于一所述深沟槽电容阵列，
4.根据权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，
5.根据权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，
6.根据权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，
7.根据权利要求3-5中任一项所述的半导体结构，其特征在于，
...【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，
3.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述隔离结构包括第一隔离结构，位于所述深沟槽电容阵列之间的中介层中设置有隔离沟槽，所述第一隔离结构位于所述隔离沟槽中；对于一所述深沟槽电容阵列，
4.根据权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，
5.根据权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，
6.根据权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，
7.根据权利要求3-5中任一项所述的半导体结构，其特征在于，
8.根据权利要求3-5中任一项所述的半导体结构，其特征在于，
9.根据权利要求1-5中任一项所述的半导体结构，其...
【专利技术属性】
技术研发人员：付友，吴双双，李宗翰，刘志拯，陈小龙，
申请(专利权)人：长鑫科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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