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本公开涉及半导体领域，提供了一种半导体结构及其制造方法。半导体结构包括：中介层，中介层包括深沟槽电容阵列和设置于深沟槽电容阵列之间的隔离结构；其中，深沟槽电容阵列包括多个深沟槽电容，隔离结构至少部分环绕深沟槽电容阵列最边缘侧的深沟槽电容。...
该专利属于长鑫科技集团股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过长鑫科技集团股份有限公司授权不得商用。

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