基于倒装焊工艺的压力传感器的制备方法及压力传感器技术

本申请适用于半导体器件技术领域，提供了一种基于倒装焊工艺的压力传感器的制备方法及压力传感器，该方法包括在衬底上生长氧化层；在氧化层上设置敏感薄膜层；敏感薄膜层设置有压敏电阻；在敏感薄膜层上设置布线层；在布线层上设置硅盖片层；硅盖片层的腔体上设置有不同高度和不同位置的止挡结构；硅盖片层与敏感薄膜层、布线层围成封闭空腔结构；止挡结构被包围在封闭空腔结构内；在硅盖片层进行刻蚀硅通孔，并应用重分布层工艺来连接硅通孔和布线层；在硅盖片层上设置阻焊层；刻蚀衬底的背面，形成压力敏感腔。本申请既能有效保护构件结构，又能保持或提高响应频率和灵敏度的保护方法，以满足高动态性能的需求。

【技术实现步骤摘要】

本申请属于半导体器件，尤其涉及一种基于倒装焊工艺的压力传感器的制备方法及压力传感器。

技术介绍

1、在相关技术中，为了保护构件结构不受外部影响，特别是针对微型化和高精度需求的应用场景，mems（微机电系统）压力传感器得到了广泛应用。mems压力传感器是一种基于微电子技术制造的高精度、微型化的压力测量设备，它利用微机械结构来感知外界压力变化，并将其转换为电信号输出。

2、在mems压力传感器的设计中，为了使mems压力传感器能够在高动压下应用，一种方法是设计加大动态范围，以应对更广泛的压力变化范围，但这种方法可能导致传感器在特定压力范围内的精度和稳定性下降。另一种方法是将芯片封在油液中，并在外面包裹上不锈钢薄膜，虽然这种方法可能提供了一定的机械保护和稳定性，但在高动压、压力变化大的情况下，膜结构的形变量大，容易过载导致膜结构损坏，影响传感器的响应频率和灵敏度。因此，上述方法无法使mems压力传感器应用于高动态信号的响应领域，限制了其应用范围。

3、综上，如何在mems压力传感器的设计中，找到一种既能有效保护构件结构，又能保持或提高响应本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种基于倒装焊工艺的压力传感器的制备方法，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的基于倒装焊工艺的压力传感器的制备方法，其特征在于，所述布线层包括绝缘层、布线和键合介质层；

3.如权利要求1所述的基于倒装焊工艺的压力传感器的制备方法，其特征在于，所述在所述布线层上设置硅盖片层，包括：

4. 如权利要求1所述的基于倒装焊工艺的压力传感器的制备方法，其特征在于，所述止挡结构的高度范围满足所述止挡结构的上表面处于所述敏感薄膜层最大的可动位置范围，且处于小于所述敏感薄膜层的Von mise应力的可动位置范围。

5.如权利要求1所述的基于倒装焊...

【技术特征摘要】

1.一种基于倒装焊工艺的压力传感器的制备方法，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的基于倒装焊工艺的压力传感器的制备方法，其特征在于，所述布线层包括绝缘层、布线和键合介质层；

3.如权利要求1所述的基于倒装焊工艺的压力传感器的制备方法，其特征在于，所述在所述布线层上设置硅盖片层，包括：

4. 如权利要求1所述的基于倒装焊工艺的压力传感器的制备方法，其特征在于，所述止挡结构的高度范围满足所述止挡结构的上表面处于所述敏感薄膜层最大的可动位置范围，且处于小于所述敏感薄膜层的von mise应力的可动位置范围。

5.如权利要求1所述的基于倒装焊工艺的压力传感器的制备方法，其特征在于，在硅盖片层进行刻蚀硅通孔之后，在所述硅盖片层上设置阻焊层之前，所述基...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨拥军，何洪涛，王伟忠，许朝阳，
申请(专利权)人：河北美泰电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：