【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，特别涉及一种基片及其贴膜方法、执行化学镀的方法。
技术介绍
1、化学镀是一种新型的金属表面处理技术，在许多领域中化学镀技术已取代电镀技术而成为一种环保的表面处理工艺。例如，在新能源汽车领域中，车规igbt对可靠性要求较高，为满足车规领域的高可靠性要求，业界普遍采用化学镀工艺生长igbt的表面金属(例如，ni/au或者ni/pd/au等)，以提供良好的导电性、耐腐蚀性和抗氧化性，以满足车规igbt互联的要求。
2、其中，化学镀可分为单面化镀和双面化镀，双面化镀成本较高，且对背面研磨要求更为严格，还有金属污染的风险，因此单面化镀的优势更明显。而对于单面化镀工艺而言，需要在晶圆的另一面(例如背面)贴附保护膜，以利用保护膜避免晶圆背面与化学药剂接触，并在化学镀完成之后再将保护膜去除。例如参考图1所示，在对晶圆10的一面执行化学镀之前，通常可采用taiko减薄工艺对晶圆10的另一面进行减薄，该taiko减薄工艺并不是对晶圆10的整个表面进行减薄，而是仅对晶圆10的中间部分进行减薄，进而会在晶圆10的边缘形成一圈较...
【技术保护点】
1.一种基片的贴膜方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的基片的贴膜方法，其特征在于，所述压膜操作还包括：在对所述第三段膜执行压膜动作之前，对所述保护膜的第二段膜的部分位置执行压膜动作，以使对应位置的第二段膜粘附在所述基片的外侧壁上。
3.如权利要求1或2所述的基片的贴膜方法，其特征在于，对所述第三段膜执行压膜动作的方法包括：
4.如权利要求3所述的基片的贴膜方法，其特征在于，执行连续压膜动作的方法包括：
5.如权利要求3所述的基片的贴膜方法，其特征在于，执行抽真空操作时，抽气装置的抽气口对准所述间隙。
<...【技术特征摘要】
1.一种基片的贴膜方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的基片的贴膜方法，其特征在于，所述压膜操作还包括：在对所述第三段膜执行压膜动作之前，对所述保护膜的第二段膜的部分位置执行压膜动作，以使对应位置的第二段膜粘附在所述基片的外侧壁上。
3.如权利要求1或2所述的基片的贴膜方法，其特征在于，对所述第三段膜执行压膜动作的方法包括：
4.如权利要求3所述的基片的贴膜方法，其特征在于，执行连续压膜动作的方法包括：
5.如权利要求3所述的基片的贴膜方法，其特征在于，执行抽真空操作时，抽气装置的抽气口对准所述间隙。
6.如权利要求2所述的基片的贴膜方法，其特征在于，对所述第二段膜执行压膜动作的方法包括：
7.如权利要求1所述的基片的贴膜方法，其特征在于，所述第三段膜的宽度小于等于所述边缘环区的宽度。
...【专利技术属性】
技术研发人员：杨伟霞，王浩浩，李皇欣，
申请(专利权)人：芯恩青岛集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。