【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于半导体，涉及一种膜厚测试结构及实时监测量测过程中光斑位置的方法。
技术介绍
1、芯片是由一系列有源和无源电路元件堆叠而成的3d结构，在晶圆表面通过物理/化学方法交替堆叠sio2、氮化硅等绝缘介质薄膜和al、cu等金属导电膜，在薄膜上可以进行掩膜版图形转移(光刻)、刻蚀等工艺，最终形成各层电路结构。
2、在晶圆制作过程中，需要在薄膜淀积完成后将晶圆组(lot)转移至膜厚量测机台进行测试，当厚度(thk)实际量测过程中出现光斑打偏或光斑量测位置偏移时，会导致量测机台输出错误量测结果，导致线上产生ocap(out of control action plan，失控行动计划)，当前对于光斑位置偏移判定，工程师大多通过量测异常结果进行推算，具有延时性。
3、因此，如何改进膜厚测试结构并提供一种实时监测量测过程中光斑位置的方法以及时调整实际光斑量测位置，保证量测位置精确度及输出量测结果准确度，成为本领域技术人员亟待解决的一个重要技术问题。
4、应该注意，上面对技术背景的介绍只是为了方便对本申请的技术...
【技术保护点】
1.一种实时监测量测过程中光斑位置的方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的实时监测量测过程中光斑位置的方法，其特征在于：
3.根据权利要求2所述的实时监测量测过程中光斑位置的方法，其特征在于：当将偏移量反馈至机台端后，机台自动调整相关位置参数直至偏移量小于预设值，或者通过报警方式提示工程师对相关位置参数进行调整。
4.根据权利要求3所述的实时监测量测过程中光斑位置的方法，其特征在于：所述相关位置参数包括光斑尺寸、曝光场尺寸及机械平台参数中的至少一种。
5.根据权利要求1所述的实时监测量测过程中光斑位置...
【技术特征摘要】
1.一种实时监测量测过程中光斑位置的方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的实时监测量测过程中光斑位置的方法，其特征在于：
3.根据权利要求2所述的实时监测量测过程中光斑位置的方法，其特征在于：当将偏移量反馈至机台端后，机台自动调整相关位置参数直至偏移量小于预设值，或者通过报警方式提示工程师对相关位置参数进行调整。
4.根据权利要求3所述的实时监测量测过程中光斑位置的方法，其特征在于：所述相关位置参数包括光斑尺寸、曝光场尺寸及机械平台参数中的至少一种。
5.根据权利要求1所述的实时监测量测过程中光斑位置的方法，其特征在于：一对编号字符中的两个编号字符沿x方向设置于对应测量块的两侧并关于对应测量块的y方向中心轴镜像对称，所述y方向与x方向垂直，不同所述测量块对应的编号字符形状不同，每个所述编号字符均关于自身的x方向中心线对称。
6.根据权利要求5所述的实时监测量测过程中光斑位置的方法，其特征在于：所述编号字符选自字母i、c、d、e、b、h、k、o及x中的至少一种。
7.根据权利要求1所述的实时监测量测过程中光斑位置的方法，其特征在于：所述晶圆上预设位置设有十字标记，所述预设坐标系以所述十字标记的中心作为坐标原点。
8.根据权利要求1所述的实时监测量测过程中光斑位置的方法，其特征在于，根据记录的四个所述对称特征点的位置坐标计算所述测量块的中心点位置坐标包括：
【专利技术属性】
技术研发人员：王通，王杰，
申请(专利权)人：芯恩青岛集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。