一种理想二极管的控制电路制造技术

本发明专利技术公开了一种理想二极管的控制电路，涉及二极管控制电路技术领域，包括mosfet Q6、电压比电路、提供不同偏置电流的镜像电流源电路与快速关断电路，所述镜像电流源电路对所述电压比电路中的电流进行控制分配，有效控制所述mosfet Q6的正向导通电压值，本发明专利技术通过镜像电流源提供不同的偏置电流，利用电流之间的差异调节mosfet源极与漏极之间的正向导通电压降，而且在电流出现反向流动式，可以通过对电流的两级放大加速对所述mosfet的栅极放电，实现对所述mosfet的快速关闭，能达到精确控制mosfet的开关过程随电流的变化而变化，可以实现电流的单相流动和极低的VF电压。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及二极管控制电路，具体为一种理想二极管的控制电路。

技术介绍

1、随着新能源技术的发展，低于低压大电流和系统的可靠性工作带来新的要求，双路备份通常采用二极管或者mos管的oring电路进行设计，由于二极管的发热损耗很大，并不适合大电流的场合，oring电流是采用mos管作为二极管半导体器件，增加控制电路进行控制，mos作为开通后可以双向导通的器件，需要在电流反向时及时关闭才可能进行精确控制，达到理想二极管的效果，所以控制电路显的尤为重要。

技术实现思路

1、本专利技术的目的在于提供一种理想二极管的控制电路，采用分离半导体器件，精确控制mosfet的开关过程随电流的变化而变化，采用mosfet作为电流流通的主要路径，对mosfet的门级电压进行精确控制，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。

2、为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：一种理想二极管的控制电路，包括mosfet q6、电压比较电路、提供不同偏置电流的镜像电流源电路与快速关断电路，所述电压比较电路连接在所述mosfet q6本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种理想二极管的控制电路，其特征在于：包括mosfet Q6、电压比较电路、提供不同偏置电流的镜像电流源电路与快速关断电路，所述电压比较电路连接在所述mosfet Q6的源极与漏极之间，所述镜像电流源电路对所述电压比较电路中的电流进行控制分配，随时调节所述mosfet Q6的源极与漏极电压差，有效控制所述mosfet Q6的正向导通电压值，而所述快速关断电路利用对电流的两级放大加速对所述mosfet Q6的栅极放电，实现对所述mosfet Q6的快速关闭，能达到精确控制所述mosfet Q6的开关过程随电流的变化而变化。

2.根据权利要求1所述的一种理想二极管的控制电路，...

【技术特征摘要】

1.一种理想二极管的控制电路，其特征在于：包括mosfet q6、电压比较电路、提供不同偏置电流的镜像电流源电路与快速关断电路，所述电压比较电路连接在所述mosfet q6的源极与漏极之间，所述镜像电流源电路对所述电压比较电路中的电流进行控制分配，随时调节所述mosfet q6的源极与漏极电压差，有效控制所述mosfet q6的正向导通电压值，而所述快速关断电路利用对电流的两级放大加速对所述mosfet q6的栅极放电，实现对所述mosfet q6的快速关闭，能达到精确控制所述mosfet q6的开关过程随电流的变化而变化。

2.根据权利要求1所述的一种理想二极管的控制电路，其特征在于：所述镜像电流源电路包括电阻r1与电阻r2，晶体三极管q1与晶体三极管q2，所述电阻r1的一端与电源正极之间连接，另一端与所述晶体三极管q1的发射极连接，所述电阻r2的一端与电源正极之间连接，另一端与所述晶体三极管q2的发射极连接。

3.根据权利要求2所述的一种理想二极管的控制电路，其特征在于：所述电压比较电路包括晶体三极管q3与晶体三极管q4，晶体二极管d2与晶体二极管d3，所述晶体三极管q3的集电极与所述晶体三极管q1的集电极之间连接，所述晶体三极管q3的发射极与所述晶体二极管d2的阳极连接，所述晶体二极管d2的阴极与所述mosfet q6的源极之间连接，所述晶体三极管q4的基极与集电极之间相互连接，所述晶体三极管q4的发射极与所述晶体二极管d3的阳极连接，所述晶体二极管d3的阴极与所述mosfet q6的漏极之间连接。

4.根据权利要求3所述的一种理想二极管的控制电路，其特征在于：所述快速关断电路包括晶体二极管...

【专利技术属性】
技术研发人员：夏俊，王佳伟，周浩然，郝泓滨，
申请(专利权)人：杭州飞思特电源科技有限公司，
类型：发明
国别省市：