【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，特别涉及一种碳化硅mosfet器件。
技术介绍
1、半导体功率器件是基于半导体材料制造的一种电子元器件，通常用于电能的高效控制和变换，是现代电源系统中不可缺少的关键元件之一。由于传统硅材料技术日趋成熟，硅基功率器件的性能逐渐逼近其理论极限。近年来，以碳化硅（silicon carbide: sic）材料为代表的宽禁带半导体逐步获得人们青睐。相比于传统硅基功率器件，碳化硅功率器件在芯片面积、开关频率和高温特性等方面优势明显，已经在新能源汽车和光伏发电等领域证明其优越性能，并有望在轨道交通和智能电网等大功率领域获得更广泛应用。
2、碳化硅mosfet（metal-oxide-semiconductor field effect transistor：金属绝缘物半导体场效应晶体管）是应用最广泛的碳化硅基功率器件之一，它是一种多子导电器件，即导通时只有电子或者空穴一种载流子参与导电。多子导电的好处是器件的开关速度快，工作频率高；坏处是器件的比导通电阻大，芯片面积大。在低压sic mosfet的比导通电阻中，沟道...
【技术保护点】
1.一种碳化硅MOSFET器件，其特征在于，包括N型衬底，所述N型衬底的顶部设置有N型外延层，所述N型外延层中横向排布有多个P型阱区，所述P型阱区之间的间距相等，且所述P型阱区在纵向方向上宽窄交替设置，部分的P型阱区中设置有P体接触区，所述P型阱区中设置有N型源区，所述N型源区的一侧与所述P体接触区相连，所述N型外延层的顶部配合所述P体接触区还设置有源端电极，所述源端电极的底部与所述P体接触区相连，其中，在横向方向上，设置有P体接触区的P型阱区和未设置P体接触区的P型阱区交替排布，且设置有P体接触区的P型阱区的CD值大于未设置P体接触区的P型阱区的CD值。
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