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本发明公开了一种碳化硅MOSFET器件，属于半导体技术领域，该碳化硅MOSFET器件，包括N型衬底，N型衬底的顶部设置有N型外延层，N型外延层中横向排布有多个P型阱区，P型阱区之间的间距相等，P型阱区在纵向方向上宽窄交替设置，部分的P型阱区...
该专利属于杰平方半导体（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过杰平方半导体（上海）有限公司授权不得商用。

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