【技术实现步骤摘要】
本申请涉及集成电路，特别是涉及一种芯片结构及其制备方法、封装结构。
技术介绍
1、随着半导体封装工艺的发展，多层垂直堆叠的封装越来越普及。对于垂直堆叠封装的产品，通常在芯片结构的表面设有凸块，从而通过凸块实现芯片结构之间的互连。
2、然而，在封装生产过程中，凸块被顶层芯片结构遮挡，容易造成相邻芯片结构的凸块对位不准。
技术实现思路
1、基于此，有必要针对现有技术中的在封装生产过程中相邻芯片结构的凸块对位不准的问题提供一种对准标记及其制备方法、封装结构。
2、为了实现上述目的，一方面，本专利技术提供了一种芯片结构，包括：
3、基底；
4、对准标记，位于基底的正面和/或背面，所述对准标记包括坐标轴与刻度，多个所述刻度沿所述坐标轴间隔排布。
5、在其中一个实施例中，所述芯片结构还包括：第一介质层，位于所述坐标轴与所述刻度之间。
6、在其中一个实施例中，所述芯片结构包括第一金属层，所述第一金属层包括金属垫以及所述刻度，在所述基...
【技术保护点】
1.一种芯片结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的芯片结构，其特征在于，所述芯片结构还包括：
3.根据权利要求2所述的芯片结构，其特征在于，
4.根据权利要求3所述的芯片结构，其特征在于，所述刻度包括相互连接的刻度头部以及刻度底部，所述刻度头部自所述第一介质层的远离所述基底的表面向内延伸，所述刻度底部位于所述刻度头部与所述坐标轴之间，所述刻度头部的尺寸大于所述刻度底部的尺寸。
5.根据权利要求3所述的芯片结构，其特征在于，所述芯片结构还包括：
6.根据权利要求1所述的芯片结构，其特征在于，所述对准...
【技术特征摘要】
1.一种芯片结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的芯片结构，其特征在于，所述芯片结构还包括：
3.根据权利要求2所述的芯片结构，其特征在于，
4.根据权利要求3所述的芯片结构，其特征在于，所述刻度包括相互连接的刻度头部以及刻度底部，所述刻度头部自所述第一介质层的远离所述基底的表面向内延伸，所述刻度底部位于所述刻度头部与所述坐标轴之间，所述刻度头部的尺寸大于所述刻度底部的尺寸。
5.根据权利要求3所述的芯片结构，其特征在于，所述芯片结构还包括：
6.根据权利要求1所述的芯片结构，其特征在于，所述对准标记还包括旋转轴，所述旋转轴与坐标轴共用坐标原点。
7.根据权利要求6所述的芯片结构，其特征在于，所述旋转轴与坐标轴同层设置。
8.根据权利要求1所述的芯片结构，其特征在于，所述刻度的横截面形状呈圆形或者椭圆形。
9.一种封装结构，其特征在于，包括堆叠设置的至少两...
【专利技术属性】
技术研发人员：左明星，吕开敏，
申请(专利权)人：长鑫科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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