气体传感器及其制备方法技术

技术编号:44142246 阅读:17 留言:0更新日期:2025-01-29 10:18
本申请公开了一种气体传感器及其制备方法,属于半导体技术领域。该气体传感器包括衬底、沟道层和势垒层,源极和漏极均设置于势垒层的远离衬底的一侧,第一电极和第二电极分别与源极和漏极电连接,栅极设置于源极与漏极之间,第三电极和第四电极分别与栅极电连接。栅极的材料包括敏感金属材料,可以与被检测气体发生反应,进而影响栅极下方沟道层内二维电子气浓度,使得源漏极之间电流发生变化,从而实现气体检测。另外,通过第三电极和第四电极可以调整栅极电压大小,降低晶体管导通电流,使得气体与栅极发生反应导致的电流变化更加明显,提高器件灵敏度。并且,栅极还可等效为一加热电阻,提高被检测气体与敏感金属材料的反应速率,降低功耗。

【技术实现步骤摘要】

本申请属于半导体,尤其涉及一种气体传感器及其制备方法


技术介绍

1、气体传感器根据工作原理可分为电化学式、半导体式、催化燃烧式、热导式,其中半导体式器件结构小、易集成、成本低,具有较大应用市场。然而,目前的半导体式气体传感器还存在灵敏度低、响应时间长等问题,并且,半导体式气体传感器通常还需要采用多层布线、或者将加热器环绕在传感器周围用于提升温度,导致成本较高、功耗较大。

2、基于此,如何提高气体传感器的灵敏度并降低功耗,成为本领域内重点研究的方向。


技术实现思路

1、本申请提供一种气体传感器及其制备方法,旨在提高其灵敏度,降低功耗。

2、第一方面,本申请提供了一种气体传感器,包括至少一个传感单元。传感单元包括衬底、沟道层和势垒层,沟道层设置于衬底上,势垒层设置于沟道层的远离衬底的一侧。传感单元还包括源极和漏极,源极和漏极均设置于势垒层的远离衬底的一侧。传感单元还包括第一电极和第二电极,第一电极设置于源极的远离衬底的一侧,且与源极电连接,第二电极设置于漏极的远离衬底的一侧,且与漏极电连本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种气体传感器,其特征在于,包括至少一个传感单元;

2.根据权利要求1所述的气体传感器,其特征在于,所述源极和所述漏极在所述衬底上的正投影的形状均为插指状,所述源极与所述漏极交叉设置;

3.根据权利要求2所述的气体传感器,其特征在于,所述沟槽在所述衬底上的正投影的形状为S形,所述栅极在所述衬底上的正投影的形状也为S形。

4.根据权利要求1所述的气体传感器,其特征在于,所述第三电极和所述第四电极在所述衬底上的正投影均具有线形,且所述线形至少包括相连的两个线段,所述两个线段的延伸方向相交叉。

5.根据权利要求1所述的气体传感器,其特征在于,...

【技术特征摘要】

1.一种气体传感器,其特征在于,包括至少一个传感单元;

2.根据权利要求1所述的气体传感器,其特征在于,所述源极和所述漏极在所述衬底上的正投影的形状均为插指状,所述源极与所述漏极交叉设置;

3.根据权利要求2所述的气体传感器,其特征在于,所述沟槽在所述衬底上的正投影的形状为s形,所述栅极在所述衬底上的正投影的形状也为s形。

4.根据权利要求1所述的气体传感器,其特征在于,所述第三电极和所述第四电极在所述衬底上的正投影均具有线形,且所述线形至少包括相连的两个线段,所述两个线段的延伸方向相交叉。

5.根据权利要求1所述的气体传感器,其特征在于,所述第三电极和所述第四电极一体设置,所述栅极位于所述第三电极和所述第四电极的远离所述衬底的一侧。

6.根据权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员:刘云鹏孙剑文卓启明刘伟于雨刘煦
申请(专利权)人:合肥美镓传感科技有限公司
类型:发明
国别省市:

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