红外温度传感器及其制备方法技术

本申请公开了一种红外温度传感器及其制备方法，属于半导体技术领域。其中红外温度传感器包括多个传感单元，每个传感单元包括衬底、依次层叠设置于衬底上的半导体层、势垒层、第一电极和吸波涂层，以及设置于衬底的远离半导体层一侧的第二电极，其中第二电极贯穿衬底与半导体层电连接。传感单元利用半导体层和势垒层的热释电效应，在温度变化时，半导体层和势垒层构成的异质结构的自极化效应使得材料内电子向垂直于材料表面的方向移动，从而产生极化表面电荷，通过第一电极和第二电极形成电流，通过电流大小实现对温度的检测。

【技术实现步骤摘要】

本申请属于半导体，尤其涉及一种红外温度传感器及其制备方法。

技术介绍

1、目前，温度传感器还存在有测量精度较低、灵敏度较低或者是系统复杂制造成本较高等问题。特别是红外温度传感器，灵敏度较低，测量精度差，在低温环境下表现效果大幅下降甚至失效。

2、基于此，如何提高红外温度传感器的灵敏度，成为本领域内亟待解决的问题。

技术实现思路

1、本申请提供一种红外温度传感器及其制备方法，旨在提高其灵敏度，扩大其测量范围。

2、第一方面，本申请提供了一种红外温度传感器，包括多个传感单元。每个传感单元包括衬底、依次层叠设置于衬底上的半导体层、势垒层、第一电极和吸波涂层、以及设置于衬底的远离半导体层一侧的第二电极，第二电极贯穿衬底与半导体层电连接。

3、在一些实施例中，半导体层和势垒层的材料均包括ⅲa-ⅴa族元素。

4、在一些实施例中，半导体层的材料包括氮化镓、砷化镓或砷化铟镓中的至少一种，势垒层的材料包括铟镓氮、铝镓氮、磷化铟、铝砷化镓或砷化铟铝中的至少一种。

5、在本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种红外温度传感器，其特征在于，包括多个传感单元；

2.根据权利要求1所述的红外温度传感器，其特征在于，所述半导体层和所述势垒层的材料均包括ⅢA-ⅤA族元素。

3.根据权利要求1所述的红外温度传感器，其特征在于，所述半导体层的材料包括氮化镓、砷化镓或砷化铟镓中的至少一种，所述势垒层的材料包括铟镓氮、铝镓氮、磷化铟、铝砷化镓或砷化铟铝中的至少一种。

4.根据权利要求1所述的红外温度传感器，其特征在于，所述传感单元还包括设置于所述衬底与所述半导体层之间的缓冲层，所述第二电极通过所述缓冲层与所述半导体层电连接。

5.根据权利要求1所述的红外温...

【技术特征摘要】

1.一种红外温度传感器，其特征在于，包括多个传感单元；

2.根据权利要求1所述的红外温度传感器，其特征在于，所述半导体层和所述势垒层的材料均包括ⅲa-ⅴa族元素。

3.根据权利要求1所述的红外温度传感器，其特征在于，所述半导体层的材料包括氮化镓、砷化镓或砷化铟镓中的至少一种，所述势垒层的材料包括铟镓氮、铝镓氮、磷化铟、铝砷化镓或砷化铟铝中的至少一种。

4.根据权利要求1所述的红外温度传感器，其特征在于，所述传感单元还包括设置于所述衬底与所述半导体层之间的缓冲层，所述第二电极通过所述缓冲层与所述半导体层电连接。

5.根据权利要求1所述的红外温度传感器，其特征在于，所述传感单元还包...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘云鹏，于雨，孙剑文，卓启明，刘煦，
申请(专利权)人：合肥美镓传感科技有限公司，
类型：发明
国别省市：