微同轴传输结构、制备方法及电子器件技术

本申请公开了一种微同轴传输结构、制备方法及电子器件，该微同轴传输结构包括：衬底，包括中心部以及环绕中心部的外围部；第一导体层，位于中心部与外围部之间，环绕中心部设置，包裹中心部的侧面；第一阻挡层，位于第一导体层与中心部之间；第二导体层，位于第一导体层与外围部之间，环绕第一导体层设置；绝缘层，位于第一导体层与第二导体层之间，环绕第一导体层设置；第二阻挡层，位于第二导体层与外围部之间。该微同轴传输结构将衬底分为中心部和环绕中心部的外围部，位于中心部与外围部之间的第一导体层，环绕中心部设置并包裹中心部的侧面，第一导体层采用环形结构，不会生成影响信号传输品质的空洞结构，保证传输结构的品质稳定。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及芯片封装，尤其涉及一种微同轴传输结构、制备方法及电子器件。

技术介绍

1、随着芯片技术的发展，基于硅通孔(throughsiliconvia，tsv)传输结构的封装技术具有广阔的应用前景。

2、现有硅通孔传输结构采用中心铜柱进行器件信号传输，在制备时，先在硅片的深孔内壁沉积阻挡层，再在阻挡层围成的中心孔内电镀填充导电介质以形成中心铜柱，最后将硅片两侧研磨平整，即得到硅通孔传输结构。

3、这种制备方法，在采用电镀工艺填充导电介质时，导电介质以阻挡层为基准径向向内生长，极易如说明书附图1所示那样，将中心孔的轴向端部封闭而形成空洞，导致硅通孔传输结构的品质下降。

技术实现思路

1、鉴于上述问题，提出了本申请以便提供一种克服上述问题或者至少部分地解决上述问题的微同轴传输结构、制备方法及电子器件。

2、第一方面，提供一种微同轴传输结构，包括：

3、衬底，包括中心部以及环绕中心部的外围部；

4、第一导体层，位于中心部与外围部之间，环绕中心部设置，包本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种微同轴传输结构，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的微同轴传输结构，其特征在于，所述第一导体层在所述衬底表面所在的平面上的正投影为环形区域。

3.如权利要求1所述的微同轴传输结构，其特征在于，所述中心部在所述衬底表面所在的平面上的正投影为圆形、椭圆形或多边形区域。

4.如权利要求1所述的微同轴传输结构，其特征在于，沿所述衬底的厚度方向，所述中心部包括相对设置的第一表面和第二表面，所述外围部包括相对设置的第三表面和第四表面，所述第一表面与所述第三表面位于第一平面上，所述第二表面与所述第四表面位于第二平面上，所述第一平面与所述第二平面平行。<...

【技术特征摘要】

1.一种微同轴传输结构，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的微同轴传输结构，其特征在于，所述第一导体层在所述衬底表面所在的平面上的正投影为环形区域。

3.如权利要求1所述的微同轴传输结构，其特征在于，所述中心部在所述衬底表面所在的平面上的正投影为圆形、椭圆形或多边形区域。

4.如权利要求1所述的微同轴传输结构，其特征在于，沿所述衬底的厚度方向，所述中心部包括相对设置的第一表面和第二表面，所述外围部包括相对设置的第三表面和第四表面，所述第一表面与所述第三表面位于第一平面上，所述第二表面与所述第四表面位于第二平面上，所述第一平面与所述第二平面平行。

5.如权利要求1所述的微同轴传输结构，其特征在于，沿垂直于所述衬底厚度的方向，所述第一导体层的截面形状为圆环形，所述第二导体层的截...

【专利技术属性】
技术研发人员：王鹏辉，刘燕春，王荣栋，陆原，
申请(专利权)人：北京海创微芯科技有限公司，
类型：发明
国别省市：