钼蚀刻液及其在纳米级钼蚀刻中的应用制造技术

本发明专利技术属于电子化学品技术领域，具体公开了一种钼蚀刻液及其在纳米级别钼蚀刻中的应用；该蚀刻液包括碱性溶液、氧化剂、缓蚀剂和金属螯合剂。蚀刻液的碱性环境具有高效的溶解能力，有利于维持稳定的蚀刻速率；同时在蚀刻液中加入缓蚀剂和螯合剂，缓蚀剂的存在可以通过物理吸附或以化学键的形式在金属表面形成一层薄膜，从而稳定并且调控蚀刻液对金属的蚀刻速率，金属螯合剂则可以与溶液中的金属离子形成多个配位键，从而形成稳定的环状结构，使得蚀刻液更加稳定。本发明专利技术设计的蚀刻液，组分简单，且蚀刻效果均匀，蚀刻速率可控，能够用于纳米级钼蚀刻，同样适用于钼合金等多层金属膜层的蚀刻。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于电子化学品，具体涉及一种钼蚀刻液及其在纳米级钼蚀刻中的应用。

技术介绍

1、3d nand技术作为一种革命性的存储技术，是通过垂直堆叠存储单元来突破传统2d nand的物理限制。这种技术允许在相同的物理空间内集成更多的存储单元，从而显著提高存储密度。与平面nand相比，3d nand通过多层堆叠，实现了更高的容量和更高的工作性能。

2、钼作为半导体器件中的关键金属层，因其优异的导电性和热稳定性，被广泛应用于集成电路的生产中，钼层的精细加工，尤其是蚀刻工艺，对于保证元件的性能至关重要。高精度的蚀刻液可实现对钼膜的精确图形化，这是实现微缩化和高集成密度电路的前提。

3、然而，随着行业对元件尺寸和性能要求的不断提升，钼蚀刻工艺正面临越来越高的挑战。传统的湿法化学蚀刻虽然成本相对较低，但难以应对亚微米或纳米级的精密加工需求。此外，蚀刻速率也是一个核心的参数，直接影响着生产效率和产品质量，现有的蚀刻液中表现出来的蚀刻速率过快，从而导致蚀刻不均匀，造成钼层表面粗糙，甚至损伤下层结构，影响最终的性能。 因此，蚀刻工艺的研究焦点转向了本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种钼蚀刻液，其特征在于，该蚀刻液包括按质量分数计的以下成分：5-25%的碱性溶液、1-10%的氧化剂、0.1-3%的缓蚀剂和0.05-0.3%的金属螯合剂，其余为水。

2.根据权利要求1所述的钼蚀刻液，其特征在于：所述的碱性溶液为氨水、四甲基氢氧化铵溶液或氢氧化钾溶液中的一种。

3.根据权利要求2所述的钼蚀刻液，其特征在于：所述碱性溶液的质量分数为10-20%，溶剂为水。

4.根据权利要求1所述的钼蚀刻液，其特征在于：所述的氧化剂为双氧水、高碘酸的水溶液、次氯酸钠的水溶液或高锰酸钾的水溶液中的任意一种。

5.根据权利要求1所述的钼蚀刻...

【技术特征摘要】

1.一种钼蚀刻液，其特征在于，该蚀刻液包括按质量分数计的以下成分：5-25%的碱性溶液、1-10%的氧化剂、0.1-3%的缓蚀剂和0.05-0.3%的金属螯合剂，其余为水。

2.根据权利要求1所述的钼蚀刻液，其特征在于：所述的碱性溶液为氨水、四甲基氢氧化铵溶液或氢氧化钾溶液中的一种。

3.根据权利要求2所述的钼蚀刻液，其特征在于：所述碱性溶液的质量分数为10-20%，溶剂为水。

4.根据权利要求1所述的钼蚀刻液，其特征在于：所述的氧化剂为双氧水、高碘酸的水溶液、次氯酸钠的水溶液或高锰酸钾的水溶液中的任意一种。

5.根据权利要求1所述的钼蚀刻液，其特征在于：所述氧化剂中溶质的...

【专利技术属性】
技术研发人员：叶瑞，罗佳杨，苏张轩，贺兆波，张庭，冯凯，王书萍，班昌胜，严凡，李素云，樊澌，李飞，王宏博，
申请(专利权)人：湖北兴福电子材料股份有限公司，
类型：发明
国别省市：