【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体制造，尤其涉及一种刻蚀设备及其维护方法。
技术介绍
1、随着半导体技术的发展，具有等离子体刻蚀腔室的干法刻蚀设备得到了广泛的应用。当气体以等离子体形式存在时，气体化学活性比常态下时要强很多，根据被刻蚀材料的不同，选择合适的气体，能够更快地与材料进行反应，实现刻蚀；此外，还可以利用电场对等离子体进行引导和加速，使其具备一定能量，当其轰击被刻蚀物的表面时，会将被刻蚀物材料的原子击出，从而达到利用物理上的能量转移来实现刻蚀的目的。
2、在现有的刻蚀设备中，通常包括上电极和下电极，例如采用板状形貌形成上电极板和下电极板。具体地，可以将上电极和下电极平行安装在晶圆基座的上下两侧，通过在两个电极之间形成足以将反应气体转化成等离子气体状态的电场，以及在上电极和下电极之间注入预定的反应气体，从而使用等离子气体蚀刻晶圆的预定区域。在此过程中，可以通过冷却板(cooling plate)对电极板进行冷却，例如采用上部冷却板对上电极板进行冷却，以控制上电极的温度。
3、然而，在现有的一种冷却板中，朝向所述晶圆基座的...
【技术保护点】
1.一种刻蚀设备的维护方法，其特征在于，所述刻蚀设备包括晶圆基座、耦接的上电极板以及上部冷却板，所述上部冷却板用于对所述上电极板进行冷却；
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法包括以下一项或多项：所述上部冷却板朝向所述晶圆基座的第一面的材料为氧化铝；
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，y的值大于x的值。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，每轮处理工艺还包括：
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述上部冷却板的部分表面的材料包括氧化铝，所述第一反应气体包括CxFy；
6.根...
【技术特征摘要】
1.一种刻蚀设备的维护方法，其特征在于，所述刻蚀设备包括晶圆基座、耦接的上电极板以及上部冷却板，所述上部冷却板用于对所述上电极板进行冷却；
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法包括以下一项或多项：所述上部冷却板朝向所述晶圆基座的第一面的材料为氧化铝；
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，y的值大于x的值。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，每轮处理工艺还包括：
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述上部冷却板的部分表面的材料包括氧化铝，所述第一反应气体包括cxfy；
6.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述采用第二反应气体，去除副属反应产物的处理工艺包含第一反应阶段和第二反应阶段；
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述第一反应阶段的工艺时长小于等于所述第二反应气体与所述保护层的材料发生反应的等待时长。
8.根据权利要求6或7所述的方法，其特征在于，所述方法包括以下一项或多项：
9.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述第二反应气体为o2，所述采用o2去除副属反应产物的处理工艺的工艺参数还包括以下一项或多项：所述o2的气体流量选自：1000sccm至1400sccm；
10.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
11.根据权利要求10所...
【专利技术属性】
技术研发人员：张年亨，蔡弦助，
申请(专利权)人：重庆芯联微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
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