一种MOF衍生NiS/ZnIn2S4复合材料及其制备方法与应用技术

本发明专利技术公开了一种MOF衍生NiS/ZnIn<subgt;2</subgt;S<subgt;4</subgt;复合材料及其制备方法与应用，所述MOF衍生NiS/ZnIn<subgt;2</subgt;S<subgt;4</subgt;复合材料是以螺旋状的ZnIn<subgt;2</subgt;S<subgt;4</subgt;与NiS复合形成的具有耦合异质界面的绳索葡萄状材料，其中，所述NiS是以Ni‑MOF为前驱体、经硫化并煅烧制备得到；所述螺旋状的ZnIn<subgt;2</subgt;S<subgt;4</subgt;是通过聚乙烯吡咯烷酮作为导向剂、丝氨酸作为模板，水热合成得到。本发明专利技术采用微球结构的Ni‑MOF作为前驱体，为NiS提供了更丰富的活性位点，提升了析氢速率，NiS与ZnIn<subgt;2</subgt;S<subgt;4</subgt;之间构建的三维材料的异质界面改变了电子的传输途径，该结构可显著增强光催化析氢反应效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及复合材料，具体是涉及一种mof衍生nis/znin2s4复合材料及其制备方法与应用。

技术介绍

1、由于日益增长的化石燃料消费和随之而来的能源危机和气候变化，寻找可再生能源的替代品至关重要。氢气(h2)是环境友好的清洁能源，在过去的几十年里，人们发展了多种制备h2的方法。凭借充足的阳光，用半导体材料实现光催化析氢是一个有希望的策略。然而，传统的半导体光催化剂，如tio2和zno，由于带隙较宽，光利用率较低。二维二元金属硫化物半导体znin2s4具有合适的～2.4ev带隙，可用于催化各种光氧化还原反应。然而，单纯的znin2s4光催化活性仍然相对较差，主要是因为光生载流子的复合率较高、迁移速率较慢。在半导体光催化剂上负载助催化剂是提升光催化剂性能的一种有效方法，因为它不仅可以加速光生电子和空穴的分离，而且还可以降低质子还原反应的活化能。贵金属助催化剂铂对于促进氢气的生产是最为有效的，但它们的实际应用受到稀缺性和高价格的限制。金属氧化物助催化剂又面临着导电率低的缺点。

2、为了解决znin2s4单独使用时光生载流子的复合率较高、迁移速本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种MOF衍生NiS/ZnIn2S4复合材料，其特征在于，所述MOF衍生NiS/ZnIn2S4复合材料是以螺旋状的ZnIn2S4与NiS复合形成的具有耦合异质界面的绳索葡萄状材料，其中，所述NiS是以Ni-MOF为前驱体、经硫化并煅烧制备得到；所述螺旋状的ZnIn2S4是通过聚乙烯吡咯烷酮作为导向剂、丝氨酸作为模板，水热合成得到。

2.如权利要求1所述的一种MOF衍生NiS/ZnIn2S4复合材料，其特征在于，所述NiS的制备方法包括：

3.如权利要求2所述的MOF衍生NiS/ZnIn2S4复合材料，其特征在于，所述将NiS粒子在氮气气氛中煅烧时，煅烧温度为2...

【技术特征摘要】

1.一种mof衍生nis/znin2s4复合材料，其特征在于，所述mof衍生nis/znin2s4复合材料是以螺旋状的znin2s4与nis复合形成的具有耦合异质界面的绳索葡萄状材料，其中，所述nis是以ni-mof为前驱体、经硫化并煅烧制备得到；所述螺旋状的znin2s4是通过聚乙烯吡咯烷酮作为导向剂、丝氨酸作为模板，水热合成得到。

2.如权利要求1所述的一种mof衍生nis/znin2s4复合材料，其特征在于，所述nis的制备方法包括：

3.如权利要求2所述的mof衍生nis/znin2s4复合材料，其特征在于，所述将nis粒子在氮气气氛中煅烧时，煅烧温度为250～350℃，煅烧时间为20～40min。

4.如权利要求3所述的一种mof衍生nis/znin2s4复合材料，其特征在于，所述将nis粒子在氮气气氛中煅烧的方法...

【专利技术属性】
技术研发人员：仝玉萍，侯宇欣，李艳强，严亮，陈希，张海龙，黄亮，王晓，韩双乔，郝小非，刘阳钰，张卓，许树豪，
申请(专利权)人：华北水利水电大学，
类型：发明
国别省市：