碳化硅MOSFET逆变电路及碳化硅MOSFET逆变电路的控制方法技术

本发明专利技术提供碳化硅MOSFET逆变电路，其是第一碳化硅MOSFET与第二碳化硅MOSFET串联连接而成的碳化硅MOSFET逆变电路，在控制对象MOSFET的关断期间，瞬态电流的电流密度小于1000A/cm<supgt;2</supgt;，在所述关断期间中，以使饱和电流期间小于5μs的方式，将所述控制对象MOSFET的栅极导通。提供碳化硅MOSFET逆变电路的控制方法，其是第一碳化硅MOSFET与第二碳化硅MOSFET串联连接而成的碳化硅MOSFET逆变电路的控制方法，并包括：将控制对象MOSFET关断的步骤；以及在所述控制对象MOSFET的关断期间中以使饱和电流期间小于5μs的方式将所述控制对象MOSFET的栅极导通的步骤，在所述关断期间，瞬态电流的电流密度小于1000A/cm<supgt;2</supgt;。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本专利技术涉及碳化硅mosfet逆变电路及碳化硅mosfet逆变电路的控制方法。

技术介绍

1、在专利文献1中记载了“能够抑制死区时间中的堆垛层错的扩展的碳化硅mosfet逆变电路”。

2、现有技术文献

3、专利文献

4、专利文献1：日本专利第6977469号

5、专利文献2：日本专利第6878802号

技术实现思路

1、技术方案

2、在本专利技术的第一方式中，提供一种碳化硅mosfet逆变电路，其是第一碳化硅mosfet与第二碳化硅mosfet串联连接而成的碳化硅mosfet逆变电路，在控制对象mosfet的关断期间，在所述控制对象mosfet的内置二极管中流通的瞬态电流的电流密度小于1000a/cm2，在所述关断期间中，以使所述瞬态电流成为饱和电流的饱和电流期间小于5μs的方式，将所述控制对象mosfet的栅极导通，所述控制对象mosfet是所述第一碳化硅mosfet或所述第二碳化硅mosfet。

3、在所述碳化硅mosfet逆变电路本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种碳化硅MOSFET逆变电路，其特征在于，是第一碳化硅MOSFET与第二碳化硅MOSFET串联连接而成的碳化硅MOSFET逆变电路，

2.根据权利要求1所述的碳化硅MOSFET逆变电路，其特征在于，

3.根据权利要求2所述的碳化硅MOSFET逆变电路，其特征在于，

4.根据权利要求3所述的碳化硅MOSFET逆变电路，其特征在于，

5.根据权利要求1所述的碳化硅MOSFET逆变电路，其特征在于，

6.根据权利要求5所述的碳化硅MOSFET逆变电路，其特征在于，

7.根据权利要求6所述的碳化硅MOSFET逆变电路，...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种碳化硅mosfet逆变电路，其特征在于，是第一碳化硅mosfet与第二碳化硅mosfet串联连接而成的碳化硅mosfet逆变电路，

2.根据权利要求1所述的碳化硅mosfet逆变电路，其特征在于，

3.根据权利要求2所述的碳化硅mosfet逆变电路，其特征在于，

4.根据权利要求3所述的碳化硅mosfet逆变电路，其特征在于，

5.根据权利要求1所述的碳化硅mosfet逆变电路，其特征在于，

6.根据权利要求5所述的碳化硅mosfet逆变电路，其特征在于，

7.根据权利要求6所述的碳化硅mosfet逆变电路，其特征在于，

8.根据权利要求7所述的碳化硅mosfet逆变电路，其特征在于，

9.根据权利要求7所述的碳化硅mosfet逆变电路，其特征在于，

10.根据权利要求9所述的碳化硅mosfet逆变电路，其特征在于，

【专利技术属性】
技术研发人员：内海诚，
申请(专利权)人：富士电机株式会社，
类型：发明
国别省市：