【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体，具体而言，本申请涉及一种半导体结构及制作方法、存储器及制作方法、电子设备。
技术介绍
1、浅槽隔离(shallow trench isolation，sti)是通过利用氮化硅掩膜经过淀积、图形化、刻蚀硅后形成槽，并在槽中填充淀积氧化物，用于与硅隔离的一种工艺。sti工艺与硅局部氧化隔离工艺(local oxidation of silicon，locos)相比，具有更好的隔离特性。
技术实现思路
1、本申请提出一种半导体结构及制作方法、存储器及制作方法、电子设备。
2、第一个方面，本申请实施例提供了一种半导体结构的制作方法，包括：
3、提供一设有多个沟槽的衬底，并在衬底设有沟槽的一侧形成第一阻挡层，第一阻挡层覆盖沟槽的内壁和衬底；
4、在第一阻挡层远离衬底的一侧形成第一绝缘层，第一绝缘层至少充填部分沟槽；
5、在第一绝缘层远离衬底的一侧形成第二阻挡层，第二阻挡层覆盖第一绝缘层；
6、在第二阻挡层远离衬底的一侧形成
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1.一种半导体结构的制作方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，形成第一阻挡层，包括：
3.根据权利要求2所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述衬底具有阵列区域和外围区域，在平行于所述衬底的平面上，位于所述阵列区域的沟槽的宽度小于位于所述外围区域的沟槽的宽度；
4.根据权利要求3所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，位于所述阵列区域的沟槽为字线隔离槽，相邻字线隔离槽之间为有源柱列，所述有源柱列包括多个有源柱，所述有源柱包括在由所述字线隔离槽的底部指向所述字线隔离槽的顶部的方向依次排...
【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的制作方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，形成第一阻挡层，包括：
3.根据权利要求2所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述衬底具有阵列区域和外围区域，在平行于所述衬底的平面上，位于所述阵列区域的沟槽的宽度小于位于所述外围区域的沟槽的宽度；
4.根据权利要求3所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，位于所述阵列区域的沟槽为字线隔离槽，相邻字线隔离槽之间为有源柱列，所述有源柱列包括多个有源柱，所述有源柱包括在由所述字线隔离槽的底部指向所述字线隔离槽的顶部的方向依次排布的漏极、沟道和源极；
5.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，形成第二阻挡层，包括：
...【专利技术属性】
技术研发人员：曾明，孟敬恒，
申请(专利权)人：北京超弦存储器研究院，
类型：发明
国别省市：
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