温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本申请实施例提供了一种半导体结构及制作方法、存储器及制作方法、电子设备。通过该半导体结构的制作方法，形成两个阻挡层，其中第一阻挡层作为刻蚀阻挡层，用于防止在对第一绝缘层进行刻蚀以形成浅槽隔离结构的过程中刻蚀到衬底；第二阻挡层作为研磨阻挡层，...
该专利属于北京超弦存储器研究院所有，仅供学习研究参考，未经过北京超弦存储器研究院授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。