【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及晶体生长，尤其涉及的是一种氧化镓晶体的生长控制方法及生长装置。
技术介绍
1、氧化镓(ga2o3)是一种透明半导体氧化物，在其五种同分异构体(α，β，ε，δ，γ)中，β相是最稳定的一种构型，而且能够由其他亚稳态相氧化镓在空气中进行足够长时间的高温处理转化而来。β-ga2o3材料广泛应用于金属氧化物半导体场效应晶体管(mosfet)、肖特基势垒二极管(sbd)和光电探测器等技术方面。
2、目前氧化镓晶体生长控制方法通常采用倒模法实现，但是倒模法的生长方式对操作人员要求高，需要具有极其丰富的氧化镓生长经验和培训成本高。另一方面，倒模法生长过程中还需要根据监控数据进行实时调控，人为操作响应及时性差，且工艺的重复性无法保障，不利于氧化镓晶体的稳定生长。
3、因此，现有技术有待于进一步的改进。
技术实现思路
1、鉴于上述现有技术中的不足之处，本专利技术提供了一种氧化镓晶体的生长控制方法及生长装置，目的在于克服现有技术中通过人工操作的方式实现氧化镓晶体生长的控制，...
【技术保护点】
1.一种氧化镓晶体的生长控制方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的氧化镓晶体的生长控制方法，其特征在于，所述生长炉内设置有提拉轴、测温热电偶、测温红外探头、重量传感器、压力传感器；所述引晶控制参数包括：第一提拉速度、热电偶测试温度、红外温度、重量参数、炉内压力值；
3.根据权利要求1所述的氧化镓晶体的生长控制方法，其特征在于，所述缩径控制参数包括:第二提拉速度和输出功率；
4.根据权利要求1所述的氧化镓晶体的生长控制方法，其特征在于，所述放肩控制参数包括：输出功率、热电偶测试温度、红外温度和炉内压力值；
5....
【技术特征摘要】
1.一种氧化镓晶体的生长控制方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的氧化镓晶体的生长控制方法，其特征在于，所述生长炉内设置有提拉轴、测温热电偶、测温红外探头、重量传感器、压力传感器；所述引晶控制参数包括：第一提拉速度、热电偶测试温度、红外温度、重量参数、炉内压力值；
3.根据权利要求1所述的氧化镓晶体的生长控制方法，其特征在于，所述缩径控制参数包括:第二提拉速度和输出功率；
4.根据权利要求1所述的氧化镓晶体的生长控制方法，其特征在于，所述放肩控制参数包括：输出功率、热电偶测试温度、红外温度和炉内压力值；
5.根据权利要求1或4所述的氧化镓晶体的生长控制方法，其特征在于，所述基于等径控制参数对放大直径的氧化镓晶体进行等径操作得到直径一致的氧化镓晶体的步骤包括：
6.根据权利要求...
【专利技术属性】
技术研发人员：齐红基，黄浩天，秦娟，
申请(专利权)人：杭州富加镓业科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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