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本发明提供了一种氧化镓晶体的生长控制方法及生长装置，分别获取引晶控制参数、缩径控制参数、放肩控制参数和等径控制参数，基于引晶控制参数控制生长炉内的氧化镓原料执行引晶操作，得到初步生长的氧化镓晶体；基于所述缩径控制参数对所述引晶操作完成后的氧...
该专利属于杭州富加镓业科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过杭州富加镓业科技有限公司授权不得商用。

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