【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，具体地，涉及一种量测结果的图形化输出方法及系统。
技术介绍
1、光刻工艺通过光化学反应原理把光掩模版上的图案转移到晶圆（wafer）上，其是后续对特定位置进行刻蚀和离子注入的前提，因此保证光刻的准确性是晶圆制造中的关键。
2、量测技术在晶圆制造中能起到监控和衡量晶圆质量的作用。其中cdsem因可测量在半导体晶片上形成的精细图案的尺寸，逐渐成为应用于半导体制造中的量测技术。尤其被着重用于光刻工艺和刻蚀工艺后的cd(critical dimension)测量的手段。
3、但是，目前cdsem的量测结果只能输出数值结果和量测图片，无法对结果进行进一步数字化处理和结果分析。且后期的图像提取技术对不同量测参数建立的recipe（配方）存在抓边差异，无法正确反映线上量测结果，导致量测结果图形化的精准度不符合预期。
技术实现思路
1、为了解决上述技术问题，本专利技术公开了一种量测结果的图形化输出方法及系统，用于提高量测结果图形化的精准度。
2、为...
【技术保护点】
1.一种量测结果的图形化输出方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的一种量测结果的图形化输出方法，其特征在于，所述采集显微镜下待测样品对应的扫描图像，并基于预设的第一量测参数获取所述扫描图像的第一尺寸，包括：
3.根据权利要求2所述的一种量测结果的图形化输出方法，其特征在于，所述根据所述灰度值分布截面图及所述第一量测参数提取所述扫描图像对应的第一灰度极值点和第二灰度极值点，包括：
4.根据权利要求3所述的一种量测结果的图形化输出方法，其特征在于，所述牛顿算法的计算表达式为：
5.根据权利要求1所述的一种量测结果...
【技术特征摘要】
1.一种量测结果的图形化输出方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的一种量测结果的图形化输出方法，其特征在于，所述采集显微镜下待测样品对应的扫描图像，并基于预设的第一量测参数获取所述扫描图像的第一尺寸，包括：
3.根据权利要求2所述的一种量测结果的图形化输出方法，其特征在于，所述根据所述灰度值分布截面图及所述第一量测参数提取所述扫描图像对应的第一灰度极值点和第二灰度极值点，包括：
4.根据权利要求3所述的一种量测结果的图形化输出方法，其特征在于，所述牛顿算法的计算表达式为：
5.根据权利要求1所述的一种量测结果的图形化输出方法，其特征在于，所述根据所述第一灰度极值点和所述第二灰度极值点计算所述扫描图像对应的第二量测结果，包括：
6.根据权利要求2-5任一项所述的一种量测结果的图形化输出方法，...
【专利技术属性】
技术研发人员：周卓弘，曾辉，李月，姜晓晴，张淼华，李贵琦，石方毅，
申请(专利权)人：粤芯半导体技术股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。