一种可控硅功率模块的门极铜针焊接工艺制造技术

本发明专利技术公开了一种可控硅功率模块的门极铜针焊接工艺，包括准备用于焊接加工的可控硅功率模块、可控硅功率模块的载体底板、门极铜针、真空炉以及焊锡，将准备好的可控硅功率模块安装在载体底板上，并将门极铜针置于可控硅的焊接脚处，准备好的产品放入真空炉内锁好仓门，常采用焊接材料将可控硅功率模块进行焊接连接，完成可控硅功率模块的焊接，将真空炉冷却，然后排出真空炉内部的氮气，打开仓门取出完成焊接的可控硅功率模块，该可控硅功率模块的门极铜针焊接工艺中采用了铜针工艺，焊接过程中门极铜针采用无氧铜材质打凸点镀金焊接方式，铜针采用一次性高温无铅真空焊接保证铜针更加牢固，这样使得焊接过程中具有更好的导电性和可焊性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及门极铜针焊接，具体为一种可控硅功率模块的门极铜针焊接工艺。

技术介绍

1、可控硅简称scr，是一种大功率电器元件，也称晶闸管。它具有体积小、效率高、寿命长等优点，在自动控制系统中，可作为大功率驱动器件，实现用小功率控件控制大功率设备。它在交直流电机调速系统、调功系统及随动系统中得到了广泛的应用。

2、可控硅分单向可控硅和双向可控硅两种。双向可控硅也叫三端双向可控硅，简称triac。双向可控硅在结构上相当于两个单向可控硅反向连接，这种可控硅具有双向导通功能。其通断状态由控制极g决定，在控制极g上加正脉冲(或负脉冲)可使其正向(或反向)导通。这种装置的优点是控制电路简单，没有反向耐压问题，因此特别适合做交流无触点开关使用。

3、大家使用的是单向晶闸管，也就是人们常说的普通晶闸管，它是由四层半导体材料组成的，有三个pn结，对外有三个电极(p型半导体引出的电极叫阳极a，第三层p型半导体引出的电极叫控制极g，第四层n型半导体引出的电极叫阴极k。

4、以硅单晶为基本材料的p1n1p2n2四层三端器件,因为它的特性类似于本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种可控硅功率模块的门极铜针焊接工艺，其特征在于：可控硅功率模块焊接工艺包括以下过程：

2.根据权利要求1所述的一种可控硅功率模块的门极铜针焊接工艺，其特征在于：所述S1中可控硅功率模块焊接工艺准备模块之间焊接连接的导通金属零件。

3.根据权利要求1所述的一种可控硅功率模块的门极铜针焊接工艺，其特征在于：所述S1中可控硅功率模块的载体底板为一体底板，可控硅功率模块的载体底板内部设有可控硅功率模块安装槽。

4.根据权利要求1所述的一种可控硅功率模块的门极铜针焊接工艺，其特征在于：所述S1中门极铜针焊接工艺采用铜针焊接工艺为无氧铜材质打凸点镀金焊接方式...

【技术特征摘要】

1.一种可控硅功率模块的门极铜针焊接工艺，其特征在于：可控硅功率模块焊接工艺包括以下过程：

2.根据权利要求1所述的一种可控硅功率模块的门极铜针焊接工艺，其特征在于：所述s1中可控硅功率模块焊接工艺准备模块之间焊接连接的导通金属零件。

3.根据权利要求1所述的一种可控硅功率模块的门极铜针焊接工艺，其特征在于：所述s1中可控硅功率模块的载体底板为一体底板，可控硅功率模块的载体底板内部设有可控硅功率模块安装槽。

4.根据权利要求1所述的一种可控硅功率模块的门极铜针焊接工艺，其特征在于：所述s1中门极铜针焊接工艺采用铜针焊接工艺为无氧铜材质打凸点镀金焊接方式。

5.根...

【专利技术属性】
技术研发人员：邹兴强，
申请(专利权)人：乐清川整电力电子有限公司，
类型：发明
国别省市：