用于纳米压印光刻的压印掩膜版及其制备方法技术

本发明专利技术提供一种用于纳米压印光刻的压印掩膜版及其制备方法，将整个版面划分为多个局部区域，并评估局部区域的图形占空比和图形线宽特征，同时，以压印工艺因子和压印材料流动性系数修正辅助图形的特征尺寸。与光刻修正辅助图形的底层逻辑有所差别，本发明专利技术将压印工艺特性纳入考量，基于版图特征和压印特性的填充规则，通过增加辅助图形以修正整个版图的占空比和布局，从而提升压印抗蚀剂的填充均匀性和提升压印底膜均匀性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于半导体集成电路设计及制造领域，特别是涉及一种用于纳米压印光刻的压印掩膜版及其制备方法。

技术介绍

1、纳米压印是高效复制微纳尺寸特征结构的低成本制造方法，有极大潜力替代紫外光刻技术，在晶圆的实现纳米尺度的图案制备。该技术可以应用于制备微流控芯片、生物芯片、衍射光学器件、增强现实产品、虚拟现实产品等。近年来，基于该技术所实现的图形分辨率逼近10nm，其应用领域也有望拓展至先进半导体制造。

2、紫外光刻的衍射效应会导致实际加工得到的图案与原始设计图案存在失真，通常采用光学临近效应修正技术(opc)进行修正。类比于紫外光刻的opc技术，纳米压印光刻技术在图形转移时，图形分布不均会引起底膜厚度不均，进一步引起刻蚀深度不均及刻蚀图形与设计偏差大及良率差等问题。

3、目前纳米压印光刻进行复杂非规则图案化工艺时会存在的底膜不均造成的工艺缺陷的问题，实际使用时作为光刻图形化工艺时，会使得器件存在明显缺陷，从而影响器件性能。当压印抗蚀剂被刻蚀时，缺陷被进一步传递后恶化。

4、为了使非规则压印版图压印后的压刻蚀掩膜层能够在刻蚀本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种用于纳米压印光刻的压印掩膜版的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：

2.根据权利要求1所述的用于纳米压印光刻的压印掩膜版的制备方法，其特征在于：按照所述有效图形特征的图形种类定义图形宽度，依据图形种类和图形宽度将所述原始设计图形划分为多个局部区域，包括：以有效图形的线宽和形状特征作为局部区域划分依据，其中，将等线宽且形状相同的矩形或矩形组合视作一种图形进而划分到同一局部区域；

3.根据权利要求1所述的用于纳米压印光刻的压印掩膜版的制备方法，其特征在于：依据图形种类和图形宽度将所述原始设计图形划分为多个局部区域包括步骤：将线宽相近且图形种类相同的图形划分...

【技术特征摘要】

1.一种用于纳米压印光刻的压印掩膜版的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：

2.根据权利要求1所述的用于纳米压印光刻的压印掩膜版的制备方法，其特征在于：按照所述有效图形特征的图形种类定义图形宽度，依据图形种类和图形宽度将所述原始设计图形划分为多个局部区域，包括：以有效图形的线宽和形状特征作为局部区域划分依据，其中，将等线宽且形状相同的矩形或矩形组合视作一种图形进而划分到同一局部区域；

3.根据权利要求1所述的用于纳米压印光刻的压印掩膜版的制备方法，其特征在于：依据图形种类和图形宽度将所述原始设计图形划分为多个局部区域包括步骤：将线宽相近且图形种类相同的图形划分为同一种图形类型，以减少图形分类，所述线宽相近是指相同的图形种类的线宽在预先设定的线宽窗口范围内。

4.根据权利要求3所述的用于纳米压印光刻的压印掩膜版的制备方法，其特征在于：依据图形种类和图形宽度将所述原始设计图形划分为多个局部区域包括步骤：评估相邻局部区域的图形类型是否相似，若相似将相邻的局部区域合并，以降低辅助图形设计数量。

5.根据权利要求1所述的用于纳米压印光刻的压印掩膜版的制备方法，其特征在于：对所述局部区域进行网格划分包括：

6.根据权利要求1所述的用于纳米压印光刻的压印掩膜版的制备方法，其特征在于：定义各局部区域的辅助图形特征尺寸包括：

7.根据权利要求6所述的用于纳米压印光刻的压印掩膜版的制备方法，其特征在于：所述辅助图形为长宽均为an的矩形；或者辅助图形为与长宽均为an的矩形面积相等的圆形或五边以上的等边多边形。

8.根据权利要求1所述的用于纳米压印光刻的压印掩膜版的制备方法，其特征在于：所述有效图形的占空比定义为：将一局部区域划分为n个网格nn，含有效图形的网格占所在局部区域的网格数量为x，不含有效图形的网格为...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈妍如，赵建国，
申请(专利权)人：联合微电子中心有限责任公司，
类型：发明
国别省市：