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本发明提供一种用于纳米压印光刻的压印掩膜版及其制备方法，将整个版面划分为多个局部区域，并评估局部区域的图形占空比和图形线宽特征，同时，以压印工艺因子和压印材料流动性系数修正辅助图形的特征尺寸。与光刻修正辅助图形的底层逻辑有所差别，本发明将压...
该专利属于联合微电子中心有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过联合微电子中心有限责任公司授权不得商用。

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