【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体晶圆缺陷检测,具体涉及一种晶圆缺陷检测路径规划方法、检测系统及计算设备。
技术介绍
1、集成电路芯片制造过程中,产品良率是衡量芯片制造工艺的重要指标。随着芯片关键尺寸不断缩小和图形密度的不断增加,影响良率的缺陷尺寸也在不断缩小,芯片制造工艺控制难度随之加大。新的三维器件结构和新的半导体材料如铜互连、低k和高k电介质材料以及金属栅电极的广泛使用,带来新的电性能缺陷问题;新的工艺流程也带来新的工艺缺陷。晶圆缺陷的存在可能导致器件的工作异常,成为影响良率的重要因素。改善制造工艺,提高芯片良率,对检测设备的精度和检出能力提出了更高的要求。
2、高速高精度的全自动智能控制系统是现代工业、制造业和许多高科技领域的关键技术之一。这种系统可以实现0.2-0.4微米的缺陷分辨率,实现每小时1片以上的八寸晶圆检测速度。由于,高精度缺陷检测系统采用的高数值孔径的光学系统,景深不足1微米;而晶圆在每次工艺加工后,表面会出现不平,高度差在几十微米。这样,在高速检测时,承载晶圆的位移台移动后,光学系统为了实现对焦需要在z轴上进行较大
...【技术保护点】
1.一种晶圆缺陷检测路径规划方法,其特征在于,包括:
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述通过共光路光学模块采集到所述待测晶圆边缘上至少四个预设采样点处的高度值,包括:
3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述基于各个所述距离值确定每个所述预设采样点处的高度值,包括:
4.根据权利要求1至3任一项所述的方法,其特征在于,所述控制所述共光路光学模块从起测点开始拍摄,通过X轴和Y轴规划所述XY移动平台的检测路径,直至所述共光路光学模块拍摄到终测点的图像,包括:
5.一种晶圆缺陷检测系统,其特征在于,包括:龙门
...【技术特征摘要】
1.一种晶圆缺陷检测路径规划方法,其特征在于,包括:
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述通过共光路光学模块采集到所述待测晶圆边缘上至少四个预设采样点处的高度值,包括:
3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述基于各个所述距离值确定每个所述预设采样点处的高度值,包括:
4.根据权利要求1至3任一项所述的方法,其特征在于,所述控制所述共光路光学模块从起测点开始拍摄,通过x轴和y轴规划所述xy移动平台的检测路径,直至所述共光路光学模块拍摄到终测点的图像,包括:
5.一种晶圆缺陷检测系统,其特征在于,包括:龙门、z轴移动台、共光路光学模块、xy移动平台和工控机;其中,所述z轴移动台安装于所述龙门,所述共光路光学模块安装于所述z轴移动台上;所述xy移动平台设置于所述共光路光学模块的下方;所述z轴移动台、共光路光学模块和所述xy移动平台均与所述工控机通信连接;
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【专利技术属性】
技术研发人员:李伟,贾秋侠,张思祺,
申请(专利权)人:北京兆维智能装备有限公司,
类型:发明
国别省市:
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