一种消除真空回流焊芯片翻转的方法技术

本发明专利技术涉及一种消除真空回流焊芯片翻转的方法，属于厚膜混合电路组封装焊接技术领域。本发明专利技术主要通过调整抽真空阀的抽真空速率，并在回流阶段按照阶梯式抽真空，即采用小抽阀抽真空3～10s、加热3～5s并重复进行2～4次的工艺步骤，在降低抽真空速率的同时，通过阶梯式降低连续抽真空的时间减小芯片上下的幅度，消除“芯片翻转”。整体上来说操作简便，具有可靠性高、成品率高及成本低的特点，通过上述方法与步骤所共晶焊接的芯片组件，其焊接成品率100%、焊接空洞率达到5%以内，芯片翻转率从10%左右降低到0.01%以下。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及厚膜混合电路组封装焊接，具体涉及一种消除真空回流焊芯片翻转的方法。

技术介绍

1、厚膜混合电路功率电路的组封装包含多个工艺步骤，其中多ic芯片、各种阻容器件与成膜基板间的焊接是一个关键步骤，传统的工艺方法是ic芯片、各种阻容器件均采用焊膏贴片后经过回流焊炉进行回流焊。该方法回流焊后，芯片的空洞率较高，一般为30%～50%，当产品功率较大时，难以满足散热要求。

2、当前主要由两种方式提高芯片焊接后的低空洞率。一是阶梯温度式焊接，ic芯片采用焊片共晶焊，各种阻容器件采用焊膏回流焊或热板再流焊，而ic芯片采用焊片进行共晶焊时，需要在芯片表面施加一定重量的配重，操作步骤复杂，配重容易造成管芯表面划伤，影响产品的成品率和加工效率。二是采用真空回流焊技术，即ic芯片、各种阻容器件均采用焊膏贴片后在真空共晶焊炉或真空回流焊炉内进行真空回流，通过在电路回流阶段抽真空的方式制造真空环境，阻止了焊料氧化，提高了芯片的低空洞率，但是由于受到焊膏中助焊剂含量、抽真空的速率、方式等的影响，在抽真空回流焊阶段回流抽真空时，芯片上下跳动幅度较大，焊锡液中助焊剂本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种消除真空回流焊芯片翻转的方法，其特征在于包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的一种消除真空回流焊芯片翻转的方法，其特征在于：在S4步骤中，需要对容易导致沾锡的位置涂覆阻焊胶。

3.根据权利要求1所述的一种消除真空回流焊芯片翻转的方法，其特征在于：所述容易导致沾锡的位置包括环氧粘接位置和引线键合位置。

【技术特征摘要】

1.一种消除真空回流焊芯片翻转的方法，其特征在于包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的一种消除真空回流焊芯片翻转的方法，其特征在于：在s4步骤中，需要对容...

【专利技术属性】
技术研发人员：李文才，李波，侯育增，夏俊生，
申请(专利权)人：华东光电集成器件研究所，
类型：发明
国别省市：