【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种半导体结构的制造方法，且特别是涉及一种可与其他制作工艺进行整合的半导体元件结构的制造方法。
技术介绍
1、在目前的半导体结构的制作工艺中，不同的半导体元件及/或半导体构件常需要以不同制作工艺进行制作。然而，在此情况下，所需的制作工艺时间较长且制作工艺复杂度较高。因此，如何将不同制作工艺进行整合为不断努力的目标。
技术实现思路
1、本专利技术提供一种半导体元件结构，其可将半导体元件的制作工艺与其他制作工艺进行整合。
2、本专利技术提出一种半导体元件结构的制造方法，包括以下步骤。在基底上形成第一介电层。在第一介电层上形成相互连接的p型半导体层与n型半导体层。在p型半导体层与n型半导体层上形成第二介电层。在第二介电层中形成第一开口与第二开口。第一开口暴露出p型半导体层。第二开口暴露出n型半导体层。在第一开口中形成第一金属层，且在第二开口中形成第二金属层。第一金属层电连接于p型半导体层。第二金属层电连接于n型半导体层。将基底放置在电解液中，其中电解液覆盖第二介电层、第...
【技术保护点】
1.一种半导体元件结构的制造方法，包括：
2.如权利要求1所述的半导体元件结构的制造方法，其中所述P型半导体层与N型半导体层为一体成型。
3.如权利要求1所述的半导体元件结构的制造方法，还包括：
4.如权利要求1所述的半导体元件结构的制造方法，还包括：
5.一种半导体元件结构的制造方法，包括：
6.如权利要求5所述的半导体元件结构的制造方法，其中所述P型半导体层与N型半导体层为一体成型。
7.如权利要求5所述的半导体元件结构的制造方法，还包括：
8.如权利要求5所述的半导体元件结构的制...
【技术特征摘要】
1.一种半导体元件结构的制造方法，包括：
2.如权利要求1所述的半导体元件结构的制造方法，其中所述p型半导体层与n型半导体层为一体成型。
3.如权利要求1所述的半导体元件结构的制造方法，还包括：
4.如权利要求1所述的半导体元件结构的制造方法，还包括：
5.一种半导体元件结构的制造方法，包括：
6.如权利要求5所述的半导体元件...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈建郎，车行远，吴景修，
申请(专利权)人：力晶积成电子制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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