芯片封装结构及芯片封装方法技术

技术编号:43932427 阅读:23 留言:0更新日期:2025-01-07 21:26
本申请提供一种芯片封装结构及芯片封装方法,包括玻璃基板、走线层、第一重布线层、芯片层及第二重布线层。在垂直于玻璃基板的方向上,第一重布线层的高度为8μm~12μm,且第一重布线层中的相邻导电走线之间的间距为1.5μm~2.5μm,相对于重布线层与硅中介层的组合结构而言,第一重布线层具有更高的线路集成度和更小的线路尺寸。通过高集成的第一重布线层实现芯片层与玻璃基板的电连接,有效减小结构高度,从而可以受设备高度限制的影响,批量制作芯片层,有效提高生产效率。同时,相对于重布线层与硅中介层的组合结构而言,采用第一重布线层实现芯片层与玻璃基板的电连接,还可以有效缩短信号传输路径,降低信号损失的风险。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及半导体制造,具体而言,涉及一种芯片封装结构及芯片封装方法


技术介绍

1、在半导体工艺中,封装是半导体集成电路芯片生产加工中的重要一环,不仅可以安放、固定、密封、保护芯片,还可以增强电热性能,同时还可以实现芯片内部与外部电路的数据、信号的传递。但现有的芯片封装工艺仍存在生产效率不高的问题。


技术实现思路

1、为了至少克服现有技术中的上述不足,本申请的目的在于提供一种芯片封装结构及芯片封装方法。

2、第一方面,本申请实施例提供一种芯片封装结构,芯片封装结构包括:

3、玻璃基板,所述玻璃基板包括玻璃衬底、贯穿玻璃衬底的玻璃通孔以及经由所述玻璃通孔位于所述玻璃衬底部分表面的走线层;

4、第一重布线层,所述第一重布线层位于所述玻璃基板的一侧,所述第一重布线层与所述走线层电连接,其中,在垂直于玻璃基板的方向上,所述第一重布线层的高度为8μm~12μm,第一重布线层中的相邻导电走线之间的间距为1.5μm~2.5μm;

5、芯片层,所述芯片层位于所述第一重布线层远离本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种芯片封装结构,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的芯片封装结构,其特征在于,所述第一重布线层远离所述玻璃基板的一侧设置有第一导电凸点,所述芯片通过所述第一导电凸点电连接,其中,任意两个相邻的所述第一导电凸点之间的第一距离为2μm-10μm。

3.根据权利要求1所述的芯片封装结构,其特征在于,所述芯片封装结构包括第一导电连接层和第二导电连接层;

4.根据权利要求1所述的芯片封装结构,其特征在于,所述走线层包括种子层和金属层,所述种子层位于所述玻璃通孔内壁以及所述玻璃基板的至少部分表面,所述金属层位于所述种子层远离所述玻璃通孔的一侧。...

【技术特征摘要】

1.一种芯片封装结构,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的芯片封装结构,其特征在于,所述第一重布线层远离所述玻璃基板的一侧设置有第一导电凸点,所述芯片通过所述第一导电凸点电连接,其中,任意两个相邻的所述第一导电凸点之间的第一距离为2μm-10μm。

3.根据权利要求1所述的芯片封装结构,其特征在于,所述芯片封装结构包括第一导电连接层和第二导电连接层;

4.根据权利要求1所述的芯片封装结构,其特征在于,所述走线层包括种子层和金属层,所述种子层位于所述玻璃通孔内壁以及所述玻璃基板的至少部分表面,所述金属层位于所述种子层远离所述玻璃通孔的一侧。

5.根据权利要求1所述的芯片封装结构,其特征在于,所述第二重布...

【专利技术属性】
技术研发人员:章霞方立志麻泽宇李高林罗冬侯宴科
申请(专利权)人:成都奕成集成电路有限公司
类型:发明
国别省市:

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