【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体制造，尤其涉及一种外延炉腔体的金属含量控制方法。
技术介绍
1、外延炉利用三氯氢硅或氯化硅等与氢气的还原反应，在单晶衬底硅片上生长出单晶外延，随着生产外延片数的增加，外延炉的反应腔室需停机清洗保养，在更换配件的过程中，金属污染物由外部引入，造成外延炉腔内的金属污染物含量升高，即使浓度很低，也会降低外延片的质量，最终导致器件性能的降低。现有技术对反应腔的清洁方法主要是通过往腔体内通入氯化氢气体，刻蚀腔内残留的氧化硅后再通过尾气处理排出，改善腔内环境。
2、传统的清洁方法对金属含量的改善效果较差，不能将基底表面残留的金属杂质去除，使金属杂质渗入外延片，导致外延片的金属超标，从而降低了外延片的质量，进而对元器件的性能产生不利影响。
技术实现思路
1、本专利技术要解决上述现有技术存在的问题，提供一种外延炉腔体的金属含量控制方法，通过优化方案中的刻蚀工艺和涂覆工艺，改善外延片金属超标的问题，从而提高外延片的质量。
2、本专利技术解决其技术问题采用的技术方法...
【技术保护点】
1.一种外延炉腔体的金属含量控制方法，其特征是，包括以下阶段：
2.根据权利要求1所述的一种外延炉腔体的金属含量控制方法，其特征是，所述第一阶段清洁具体包括如下步骤：
3.根据权利要求2所述的一种外延炉腔体的金属含量控制方法，其特征是，所述刻蚀步骤的时间为36s至53s，去除基座表面的残留物质。
4.根据权利要求2所述的一种外延炉腔体的金属含量控制方法，其特征是，所述刻蚀步骤中使用的气体为氯化氢，刻蚀速率为0.25μm/s。
5.根据权利要求1所述的一种外延炉腔体的金属含量控制方法，其特征是，所述第二阶段涂覆具体包括如下
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【技术特征摘要】
1.一种外延炉腔体的金属含量控制方法，其特征是，包括以下阶段：
2.根据权利要求1所述的一种外延炉腔体的金属含量控制方法，其特征是，所述第一阶段清洁具体包括如下步骤：
3.根据权利要求2所述的一种外延炉腔体的金属含量控制方法，其特征是，所述刻蚀步骤的时间为36s至53s，去除基座表面的残留物质。
4.根据权利要求2所述的一种外延炉腔体的金属含量控制方法，其特征是，所述刻蚀步骤中使用的气体为氯化氢，刻蚀速率为0.25μm/s。
5.根据权利要求1所述的一种外延炉腔体的金属含量控制方法，其特征是，所述第二阶段涂覆具体包括如下步骤：
6.根据权利要求1所述的一种外延炉腔体的金属含量控制方法...
【专利技术属性】
技术研发人员：雷金澌，付成辛，刁睿，杨伟，杨金峰，
申请(专利权)人：浙江丽水中欣晶圆半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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