【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及电力电子,具体地,涉及一种电位检测放电控制电路。
技术介绍
1、电压检测和放电控制是确保设备安全运行的关键技术。随着电子设备功能的日益复杂化,其对电压稳定性和放电控制的要求也越来越高。电压检测放电控制电路能够监控电源电压,确保在过低时采取适当的保护措施(如放电),以防止设备损坏或性能下降。
2、传统的电压检测电路通常采用电压比较器,用运算放大器来比较输入电压和参考电压,当输入电压超过参考电压时,输出vout为高电平,当输入电压小于参考电压,输出vout为低电平。再用输出电平vout控制放电电路。这种电压检测电路的电路结构复杂,功耗较大。针对这一问题,有其他专利融合了增强型和耗尽型晶体管、恒流源、过压电路和控制电路,用以降低电路整体的功耗。
3、然而,上述电压检测电路的结构依然较为复杂,包含了过压判定和控制电路部分,且存在较大的恒定直流漏电电流,会影响输入端电路的功耗。
技术实现思路
1、针对现有技术中的缺陷,本专利技术的目的是提供一种电位检测放电控制电
2本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种电位检测放电控制电路,其特征在于,包括:分压模块、限流模块、电压比例调控模块和放电模块,其中:
2.根据权利要求1所述的电位检测放电控制电路,其特征在于,所述分压模块包括:伪电阻和第一电阻;
3.根据权利要求2所述的电位检测放电控制电路,其特征在于,所述伪电阻采用金属氧化物半导体场效应晶体管。
4.根据权利要求2所述的电位检测放电控制电路,其特征在于,所述限流模块包括:第一开关管和第二开关管,其中:
5.根据权利要求4所述的电位检测放电控制电路,其特征在于,所述第一开关管和所述第二开关管为P沟道金属氧化物半导体场
...【技术特征摘要】
1.一种电位检测放电控制电路,其特征在于,包括:分压模块、限流模块、电压比例调控模块和放电模块,其中:
2.根据权利要求1所述的电位检测放电控制电路,其特征在于,所述分压模块包括:伪电阻和第一电阻;
3.根据权利要求2所述的电位检测放电控制电路,其特征在于,所述伪电阻采用金属氧化物半导体场效应晶体管。
4.根据权利要求2所述的电位检测放电控制电路,其特征在于,所述限流模块包括:第一开关管和第二开关管,其中:
5.根据权利要求4所述的电位检测放电控制电路,其特征在于,所述第一开关管和所述第二开关管为p沟道金属氧化物半导体场效...
【专利技术属性】
技术研发人员:陈琪,罗志宏,
申请(专利权)人:上海概伦电子股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
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