【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体设备，特别涉及晶圆检测装置和晶圆检测方法。
技术介绍
1、在晶圆的制作过程中，量检测机台和一些制程机台在生产开始前，都需要通过预对准器(pre-aligner)寻找晶圆边缘的切口(notch)来对晶圆进行预对准，以确保在检测时能精准找到检测的区域，以及确保在生产时，制程机台可借助确定切口位置来实现固定晶相的沉积工艺或离子注入工艺等。如果晶圆的缺口无法确认或确认错误，将直接影响检测准确度和产品电性能。
2、传统寻找晶圆切口的方法是：在晶圆上方和晶圆下方分别安装激光发射器和激光接收器，且通过激光接收器在晶圆的一侧接收反馈信号，并通过反馈信号确定晶圆的切口位置。但是随着半导体产品以及工艺的发展，在半导体器件制造过程中，部分产品例如绝缘栅双极型晶体管(igbt)制造过程中，需要在晶圆正面加工完成后在晶圆正面粘贴玻璃板，通常玻璃板覆盖了晶圆正面且覆盖了晶圆边缘的切口，再对晶圆的背面进行加工。
3、在晶圆正面粘贴了玻璃板之后的工艺中，利用传统寻找晶圆切口的方法寻找晶圆的切口时，由于玻璃板的影响，接收到的反...
【技术保护点】
1.一种晶圆检测装置，其特征在于，用于对表面形成有保护层的晶圆进行预对准，所述晶圆的边缘区域具有切口，所述保护层从所述晶圆的表面延伸覆盖所述切口所在的区域，且所述保护层为透明或半透明材料；所述晶圆检测装置包括：
2.如权利要求1所述的晶圆检测装置，其特征在于，所述数据处理单元将所述透射信号和所述反射信号进行拟合形成复合信号包括：针对同一时间点，计算所述透射信号的瞬时强度值与透射信号强度基准值之间的差的绝对值获得第一差值，计算所述反射信号的瞬时强度值与反射信号强度基准值之间的差的绝对值获得第二差值，将同一时间点的所述第一差值和所述第二差值进行叠加形成复合信号
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【技术特征摘要】
1.一种晶圆检测装置，其特征在于，用于对表面形成有保护层的晶圆进行预对准，所述晶圆的边缘区域具有切口，所述保护层从所述晶圆的表面延伸覆盖所述切口所在的区域，且所述保护层为透明或半透明材料；所述晶圆检测装置包括：
2.如权利要求1所述的晶圆检测装置，其特征在于，所述数据处理单元将所述透射信号和所述反射信号进行拟合形成复合信号包括：针对同一时间点，计算所述透射信号的瞬时强度值与透射信号强度基准值之间的差的绝对值获得第一差值，计算所述反射信号的瞬时强度值与反射信号强度基准值之间的差的绝对值获得第二差值，将同一时间点的所述第一差值和所述第二差值进行叠加形成复合信号；
3.如权利要求2所述的晶圆检测装置，其特征在于，以所述检测光束照射在所述晶圆的非切口区域时产生的透射信号的强度值作为透射信号强度基准值ibsl1，以所述检测光束照射在所述晶圆的非切口区域时产生的反射信号的强度值作为反射信号强度基准值ibsl2；
4.如权利要求1-3任一项所述的晶圆检测装置，其特征在于，所述晶圆检测装置还包括工作台，所述工作台用于放置所述晶圆；在确定所述切口的过程中，所述工作台带动所述晶圆旋转；所述反馈控制单元根据所述切口的位置信息控制所述工作台的旋转使得所述切口停留在预设位置，实现所述晶圆的预对准。
5.一种晶圆检测装置，其特征在于，用于对表面形成有保护层的晶圆进行缺口缺陷检测，所述晶圆的边缘区域具有切口，所述保护层从所述晶圆的表面延伸覆盖所述切口所在的区域，且所述保护层为透明或半透明材料；所述晶圆检测装置包括：
6.如权利要求5所述的晶圆检测装置，其特征在于，所述数据处理单元将所述透射信号和所述反射信号进行拟合形成复合信号包括：针对同一时间点，计算所述透射信号的瞬时强度值与透射信号强度基准值之间的差的绝对值获得第一差值，计算所述反射信号的瞬时强度值与反射信号强度基准值之间的差的绝对值获得第二差值，将同一时间点的所述第一差值和所述第二差值进行叠加形成复合信号。
7.如权利要求6所述的晶圆检测装置，其特征在于，以所述检测光束照射在所述晶圆的非切口区域时产生的透射信号的强度值作为透射信号强度基准值ibsl1，以所述检测光束照射在所述晶圆的非切口区域时产生的反射信号的强度值作为反射信号强度基准值ibsl2；
8.如权利要求5-7任一项所述的晶圆检测装置，其特征在于，所述晶圆检测装置还包括工作台，所述工作台用于放置所述晶圆；在确定所述缺口缺陷的过程中，所述工作台带动所述晶圆旋转。
9.如权利要求2-3或权利要求6-7任一项所述的晶圆检测装置，在晶圆翘曲缺陷判断中的应用；其特征在于，所述数据...
【专利技术属性】
技术研发人员：吕晓晨，
申请(专利权)人：芯恩青岛集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：
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