钙钛矿太阳能电池和用电装置制造方法及图纸

本申请提供了一种钙钛矿太阳能电池和用电装置。钙钛矿太阳能电池包括依次层叠设置的钙钛矿层、缓冲层以及电荷提取层。缓冲层含有N型半导体材料或P型半导体材料或钝化材料。通过在钙钛矿层和电荷提取层之间设置相应的缓冲层，可以减少钙钛矿层的表面缺陷，使钙钛矿太阳能电池保持较高的光电转化效率。同时缓冲层可以对钙钛矿层表面起到一定的保护作用，减少外界环境对钙钛矿层的影响，进而可以提升钙钛矿太阳能电池光电转化效率的稳定性。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及太阳能电池，尤其涉及一种钙钛矿太阳能电池和用电装置。

技术介绍

1、这里的陈述仅提供与本申请有关的背景信息，而不必然构成现有技术。

2、钙钛矿太阳能电池具有较好的应用前景，但是传统的钙钛矿太阳能电池的光电转化效率的稳定性有待进一步提高。

技术实现思路

1、为了实现上述目的，本申请提供一种钙钛矿太阳能电池，包括依次层叠设置的钙钛矿层、缓冲层以及电荷提取层；所述缓冲层含有n型半导体材料或p型半导体材料；和/或，所述缓冲层含有钝化材料。

2、上述钙钛矿太阳能电池通过在钙钛矿层和电荷提取层之间设置相应的缓冲层，可以减少钙钛矿层的表面缺陷，使钙钛矿太阳能电池保持较高的光电转化效率。同时缓冲层可以对钙钛矿层表面起到一定的保护作用，减少外界环境对钙钛矿层的影响，进而可以提升钙钛矿太阳能电池光电转化效率的稳定性。

3、在一些实施方式中，所述缓冲层含有钝化材料，所述缓冲层的厚度为0.5nm～30nm。缓冲层的厚度在该范围内，可以在保持较好的钝化效果的基础上，有效促进载流子的传输，进本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种钙钛矿太阳能电池，其特征在于，包括依次层叠设置的钙钛矿层、缓冲层以及电荷提取层；所述缓冲层含有N型半导体材料或P型半导体材料或钝化材料。

2.根据权利要求1所述的钙钛矿太阳能电池，其特征在于，所述缓冲层含有钝化材料，所述缓冲层的厚度为0.5nm～30nm。

3.根据权利要求1或2所述的钙钛矿太阳能电池，其特征在于，所述钝化材料包括氧化硅和氧化铝中的至少一种；

4.根据权利要求1所述的钙钛矿太阳能电池，其特征在于，所述电荷提取层包括电子传输层，所述缓冲层含有N型半导体材料。

5.根据权利要求4所述的钙钛矿太阳能电池，其特征在于，所述N...

【技术特征摘要】

1.一种钙钛矿太阳能电池，其特征在于，包括依次层叠设置的钙钛矿层、缓冲层以及电荷提取层；所述缓冲层含有n型半导体材料或p型半导体材料或钝化材料。

2.根据权利要求1所述的钙钛矿太阳能电池，其特征在于，所述缓冲层含有钝化材料，所述缓冲层的厚度为0.5nm～30nm。

3.根据权利要求1或2所述的钙钛矿太阳能电池，其特征在于，所述钝化材料包括氧化硅和氧化铝中的至少一种；

4.根据权利要求1所述的钙钛矿太阳能电池，其特征在于，所述电荷提取层包括电子传输层，所述缓冲层含有n型半导体材料。

5.根据权利要求4所述的钙钛矿太阳能电池，其特征在于，所述n型半导体材料包括硫化镉、硒化镉、碲化镉、硫化锌、硒化锌以及碲化锌中的至少一种。

6.根据权利要求4或5所述的钙钛矿太阳能电池，其特征在于，所述n型半导体材料包括量子点n型半导体材料；

7.根据权利要求4～6中任一项所述的钙钛矿太阳能电池，其特征在于，所述n型半导体材料的表面具有第一修饰基团，所述第一修饰基团包括巯基和/或氨基；

8.根据权利要求4～7中任一项所述的钙钛矿太阳能电池，其特征在于，所述缓冲层的厚度为5nm～20nm。

9.根据权利要求4～8中任一项所述的钙钛矿太阳能电池，其特征在于，所述电子...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭永胜，陈俊超，陈国栋，
申请(专利权)人：宁德时代未来能源上海研究院有限公司，
类型：发明
国别省市：