【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本公开整体涉及半导体器件领域，并且具体地涉及包括横向间隔开的源极线的三维存储器器件及其制造方法。
技术介绍
1、每个单元具有一个位的三维竖直nand串在t.endoh等人的名称为“具有堆叠的包围栅极晶体管(s-sgt)结构化单元的新型超高密度存储器(novel ultra high densitymemory with a stacked-surrounding gate transistor(s-sgt)structured cell)”，iedm proc.(2001)33-36的文章中公开。
技术实现思路
1、根据本公开的一方面，一种存储器器件包括：第一存储块，该第一存储块包含第一字线和第一源极层区段；以及第二存储块，该第二存储块包含第二字线和与该第一源极层区段电隔离的第二源极层区段。该第一存储块中的该第一字线电连接到该第二存储块中的相应的第二字线。
2、根据本公开的另一方面，一种形成存储器器件的方法包括：形成源极层区段和源极隔离介电结构的横向交替序列；形成连续绝缘层和连...
【技术保护点】
1.一种存储器器件，所述存储器器件包括：
2.根据权利要求1所述的存储器器件，其中：
3.根据权利要求2所述的存储器器件，所述存储器器件还包括第三存储块，所述第三存储块包括第三字线和存储器开口填充结构。
4.根据权利要求3所述的存储器器件，其中：
5.根据权利要求4所述的存储器器件，所述存储器器件还包括字线切换器件和源极线开关器件，其中：
6.根据权利要求3所述的存储器器件，其中：
7.根据权利要求6所述的存储器器件，所述存储器器件还包括字线切换器件和源极线开关器件，其中：
8.根据权...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种存储器器件，所述存储器器件包括：
2.根据权利要求1所述的存储器器件，其中：
3.根据权利要求2所述的存储器器件，所述存储器器件还包括第三存储块，所述第三存储块包括第三字线和存储器开口填充结构。
4.根据权利要求3所述的存储器器件，其中：
5.根据权利要求4所述的存储器器件，所述存储器器件还包括字线切换器件和源极线开关器件，其中：
6.根据权利要求3所述的存储器器件，其中：
7.根据权利要求6所述的存储器器件，所述存储器器件还包括字线切换器件和源极线开关器件，其中：
8.根据权利要求1所述的存储器器件，其中：
9.根据权利要求8所述的存储器器件，其中所述单元结构的每个实例包括：
10.根据权利要求9所述的存储器器件，其中：
11.根据权利要求9所述的存储器器件，其中所述源极层区段中的每个源极层区段包括：
12.根据权利要求11所述的存储器器件，其中：
13.根据权利要求9所述的存储器器件，其中所述第一字线和所述第二字线在所述第一单...
【专利技术属性】
技术研发人员：东谷政昭，J·凯，J·阿尔斯迈耶，
申请(专利权)人：桑迪士克科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：
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