电容结构及其制备方法、半导体结构技术

本申请涉及一种电容结构及其制备方法、半导体结构，电容结构的制备方法包括：提供基底，基底包括衬底以及于衬底上依次形成的第一电极层、第一介质层、第二电极层和抗反射层；刻蚀抗反射层、第二电极层和部分第一介质层，形成电容沟槽；对抗反射层的暴露表面以及电容沟槽暴露出的第一介质层的表面进行去除悬挂键处理；于抗反射层和第一介质层的裸露表面上形成电荷阻挡层，电荷阻挡层用于与等离子体结合，以实现对等离子体电荷的阻挡；采用高密度等离子体化学气相沉积工艺或者等离子体增强化学气相沉积工艺于电荷阻挡层上形成第二介质层；刻蚀第二介质层、电荷阻挡层和基底，形成通孔。本申请的电容结构的制备方法可以提高电容结构的TDDB性能。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及半导体，特别是涉及一种电容结构及其制备方法、半导体结构。

技术介绍

1、随着集成电路的发展和芯片集成度的提高，器件尺寸不断缩小，器件内部所承受的电场强度也越来越高，容易发生击穿。与时间有关的介质击穿（time dependentdielectric breakdown，tddb）是影响芯片寿命和长期正常工作的主要失效机制。tddb是由于在施加电应力过程中，在介质层内部产生缺陷并且缺陷积聚导致的。

2、目前在模拟电路和射频电路中，通常会将金属电容mim（metal insulator metal）制作在互连线上，以克服寄生电容大、器件性能随电路频率增大而明显下降的缺陷。在制备金属电容mim的工艺过程中，易在介质层表面和沟槽侧壁积聚电荷，导致介质层的性能减弱，从而导致器件的tddb性能变差。

技术实现思路

1、基于此，有必要提供一种可以改善电容结构的tddb性能的电容结构及其制备方法、半导体结构。

2、为了实现上述目的，一方面，本专利技术提供了一种电容结构的制备方法，包括：...

【技术保护点】

1.一种电容结构的制备方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，对所述抗反射层的暴露表面以及所述电容沟槽暴露出的所述第一介质层的表面进行去除悬挂键处理，包括：

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，于所述抗反射层和所述第一介质层的裸露表面上形成电荷阻挡层，包括：

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述刻蚀所述第二介质层、所述电荷阻挡层和所述基底，形成通孔，包括：

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一介质层包括氮化硅，所...

【技术特征摘要】

1.一种电容结构的制备方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，对所述抗反射层的暴露表面以及所述电容沟槽暴露出的所述第一介质层的表面进行去除悬挂键处理，包括：

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，于所述抗反射层和所述第一介质层的裸露表面上形成电荷阻挡层，包括：

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述刻蚀所述第二介质层、所述电荷阻挡层和所述基底，形成通孔，包括：

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法...

【专利技术属性】
技术研发人员：邱盼盼，陈献龙，马振萍，孙林，王欢欢，
申请(专利权)人：粤芯半导体技术股份有限公司，
类型：发明
国别省市：