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本申请涉及一种电容结构及其制备方法、半导体结构，电容结构的制备方法包括：提供基底，基底包括衬底以及于衬底上依次形成的第一电极层、第一介质层、第二电极层和抗反射层；刻蚀抗反射层、第二电极层和部分第一介质层，形成电容沟槽；对抗反射层的暴露表面以...
该专利属于粤芯半导体技术股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过粤芯半导体技术股份有限公司授权不得商用。

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