场效应晶体管制造技术

在设置电流扩散n层的情况下抑制栅极绝缘膜的绝缘击穿。一种场效应晶体管，具有在上表面具有沟槽的半导体衬底、栅极绝缘膜和栅极电极。上述半导体衬底具有p型的体层和配置在上述体层的下侧的下部n层。上述下部n层具有：电流扩散n层，对于上述体层从下侧相接；以及低浓度n层，对于上述电流扩散n层从下侧相接，并且具有比上述电流扩散n层低的n型杂质浓度。上述沟槽的内表面具有：侧面，由曲率半径为0.7μm以上的表面构成；以及底部连接面，将上述侧面与上述沟槽的下端连接，并且由曲率半径小于0.7μm的凹状的曲面构成；上述电流扩散n层的具有峰值的部分在上述侧面处与上述栅极绝缘膜相接。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

(关联申请的相互参照)本申请是2022年8月26日提出申请的日本专利申请特愿2022－135237的关联申请，主张基于该日本专利申请的优先权，将在该日本专利申请中记载的全部内容作为构成本说明书的内容进行引用。本说明书所公开的技术涉及场效应晶体管。

技术介绍

1、日本特开2008－235546号公报所公开的场效应晶体管具有沟槽型的栅极电极。此外，该场效应晶体管在与栅极绝缘膜相接的范围中具有n型的源极层、p型的体(body)层和配置在体层的下侧的下部n层。如果对栅极电极施加规定的电位，则在体层中形成沟道，在沟道中将源极层与下部n层连接。由此，场效应晶体管导通。

技术实现思路

1、有在下部n层内的与体层相邻的范围中设置n型杂质浓度高的电流扩散n层的情况。根据该结构，从沟道流入到下部n层内的电子在电流扩散n层内在横向上扩散。因而，在下部n层中的比电流扩散n层靠下侧的区域(所谓的漂移层)中电流容易扩散而流动，场效应晶体管的导通电阻减小。但是，如果设置电流扩散n层，则在与电流扩散n层相邻的范围中容易在栅极绝缘膜中产生较高本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种场效应晶体管，其特征在于，

2.如权利要求1所述的场效应晶体管，其特征在于，

3.如权利要求1或2所述的场效应晶体管，其特征在于，

4.如权利要求3所述的场效应晶体管，其特征在于，

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种场效应晶体管，其特征在于，

2.如权利要求1所述的场效应晶体管，其特征在于，

3...

【专利技术属性】
技术研发人员：高谷秀史，
申请(专利权)人：株式会社电装，
类型：发明
国别省市：