【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体制造，尤其涉及一种半导体结构及其形成方法。
技术介绍
1、集成电路一般由一层半导体器件和多层互连线组成。早期集成电路性能提高和功能扩展的重点都集中在晶体管层面，即通过减小特征尺寸(critical dimension)实现更高的速度、更低的功耗，以及更高的集成度。且传统的集成电路封装是在一个封装内放置一个晶片(裸芯片)或平面放置多个晶片(mcm)，这种封装形式称为2d。
2、随着半导体工艺特征尺寸的不断缩小，特别是进入纳米尺寸范围后，半导体制造技术难度越来越大，传统的技术越来越接近物理尺寸极限。由此，三维集成电路随之应用而生。
3、三维集成电路(three-dimensional integrated circuit，3d ic)在垂直方向堆叠多个同构或异构的晶片或电路模块，利用硅通孔(through silicon via，tsv)实现垂直方向电气连接，具有互连密度高、外形尺寸小、低功耗和大带宽等众多优势。
4、然而，现有三维集成电路的电学性能仍有待提升。
...
【技术保护点】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一晶圆具有第一直径，所述第一直径经过所述第一定位缺口的中心轴；所述第二晶圆具有第二直径，所述第二直径经过所述第二定位缺口的中心轴，所述第一直径与所述第二直径重合或者所述第一直径与所述第二直径垂直。
3.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包括：第三晶圆，所述第三晶圆具有第三键合面，所述第三键合面上具有第三键合标记，所述第三晶圆的边缘侧壁具有第三定位缺口。
4.如权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，还包括与所述第三晶圆相键合的第四晶...
【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一晶圆具有第一直径，所述第一直径经过所述第一定位缺口的中心轴；所述第二晶圆具有第二直径，所述第二直径经过所述第二定位缺口的中心轴，所述第一直径与所述第二直径重合或者所述第一直径与所述第二直径垂直。
3.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包括：第三晶圆，所述第三晶圆具有第三键合面，所述第三键合面上具有第三键合标记，所述第三晶圆的边缘侧壁具有第三定位缺口。
4.如权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，还包括与所述第三晶圆相键合的第四晶圆，所述第四晶圆具有第四键合面，所述第四键合面上具有第四键合标记，所述第四晶圆的边缘侧壁具有第四定位缺口；所述第四键合面朝向所述第三键合面，所述第三键合标记与所述第四键合标记对准，所述第三定位缺口投影至所述第三键合面的图形与所述第四定位缺口投影至所述第三键合面的图形不重叠。
5.如权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，所述第三晶圆具有第三直径，所述第三直径经过所述第三定位缺口的中心轴；所述第四晶圆具有第四直径，所述第四直径经过所述第四定位缺口的中心轴，且所述第三直径与所述第四直径重合或者所述第三直径与所述第四直径垂直。
6.如权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，所述第三晶圆还具有与所述第三键合面相对的第五键合面，所述第五键合面上具有第五键合标记；所述第一晶圆还具有与所述第一键合面相对的第六键合面，所述第六键合面上具有第六键合标记；所述第五键合面朝向所述第六键合面，所述第五键合标记与所述第六键合标记对准并键合，所述第一定位缺口投影至所述第六键合面表面的图形与所述第三定位缺口投影至所述第六键合面的图形不重叠。
7.如权利要求6所述的半导体结构，其特征在于，所述第三晶圆具有第五直径，所述第五直径经过所述第三定位缺口的中心轴；所述第一晶圆具有第六直径，所述第六直径经过所述第一定位缺口的中心轴，且所述第五直径与所述第六直径重合或者所述第五直径与所述第六直径垂直。
8.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：
9.如权利要求8所述半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一晶圆具有第一直径，所述第一直径经过所述第一定位缺口的中心轴；所述第二晶圆具有第二直径，所述第二直径经过所述第二定位缺口的中心轴，所述第一直径与所述第二直径重合或者所述第一直径与所述第二直径垂直。
10.如权利要求8所述半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一键合标记的中心具有第一位置坐标参考值，所述第二键合标记的中心具有第二位置坐标参考值，所述第一位置坐标参考值的x...
【专利技术属性】
技术研发人员：史鲁斌，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。