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一种半导体结构及其形成方法，其中半导体结构包括：第一晶圆，第一晶圆具有第一键合面，第一键合面上具有第一键合标记，第一晶圆的边缘侧壁具有第一定位缺口；与第一晶圆相键合的第二晶圆，第二晶圆具有第二键合面，第二键合面上具有第二键合标记，第二晶圆的...
该专利属于中芯国际集成电路制造(北京)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(北京)有限公司授权不得商用。

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