【技术实现步骤摘要】
本申请涉及芯片领域，具体涉及一种硅通孔结构、硅通孔背面漏孔的制作方法、电路板和电子设备。
技术介绍
1、在三维集成(three-dimensional integrated circuit，3dic)电路领域，通常可利用硅通孔(through silicon via，tsv)结构实现多个芯片结构在高度方向的堆叠连接。在硅通孔的加工制作过程中，需要通过晶圆减薄技术将键合完成的叠片厚硅减薄至一定厚度，以满足后续工艺需求。在晶圆减薄过程中，可以通过硅磨削减薄技术和离子刻蚀直接将深埋硅内的tsv结构露出，这一工艺称为背面通孔露出工艺(backside via reveal，bvr)。利用bvr技术的优势在于保障了后续工艺加工芯片的电学可靠性。然而，由于硅通孔中的金属柱通常为铜柱，在硅的背面刻蚀过程中会造成因离子束直接轰击到金属铜表面，而导致衬底硅受到严重的金属铜污染问题，且后续辅助的湿法清洗难以将铜污染完全去除。由于铜原子在硅基中的易扩散性质，这给后续的芯片电学可靠性造成隐患，降低芯片的良率、提高芯片的生产成本。
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【技术保护点】
1.一种硅通孔结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的硅通孔结构，其特征在于，所述金属柱中的金属为铜，所述金属层中的金属选自Pb、Sr、Ta、Zr、Ti、Cr、Ru、Mo、W、Ir、Ce、Pt、Co、Ni或Fe中的一种或包含以上至少一种金属的合金。
3.根据权利要求2所述的硅通孔结构，其特征在于，所述金属层的厚度为大于等于200nm且小于等于20％所述通孔的高度。
4.一种硅通孔背面漏孔的制作方法，其特征在于，包括：
5.根据权利要求4所述的制作方法，其特征在于，在所述金属柱表面形成所述金属层包括：
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