一种TBC电池及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种TBC电池及其制备方法，方法包括：提供N型硅基底；N型硅基底包括正面和背面，背面包括叉指状交替排列第一区域和第二区域；利用预设高温条件，在第一区域制备第一隧穿氧化层、第一掺杂层和第一保护层；在第二区域制备第二隧穿氧化层、第二掺杂层和第二保护层；在正面进行正面制绒，并在正面制备第三保护层；对第一区域和第二区域进行丝网印刷和高温烧结，以在第一保护层背离N型硅基底一侧表面形成与第一掺杂层接触的第一电极，以及在第二保护层背离N型硅基底一侧表面形成与第二掺杂层接触的第二电极，制得TBC电池。利用上述方法，实现对第一区域高温极速掺杂，缩短电池制备时间，提高电池转换效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及光伏电池的，尤其涉及一种tbc电池及其制备方法。

技术介绍

1、光伏电池结构的更新迭代导致旧产能不断堆积，降本增效已成为光伏行业重点关注的问题。与p型晶硅电池相比，n型晶硅电池的少子寿命高，无光致衰减，弱光效应好，温度系数小，是晶硅太阳能电池突破理论最高效率的希望。tbc电池是背接触结构晶体硅太阳能电池，它用p+和n+的poly-si分别作为发射极和背表面场(back surface field，bsf)，是在poly-si与硅基底之间沉积一层隧穿氧化层的太阳能电池，增加载流子的选择性，降低少数载流子的复合，提升电池的开路电压。该电池的受光面无任何金属栅线遮挡，即受光面无电极，使入射在电池表面的光能够更大程度上被利用。同时背面(非受光面)可以容许较宽的金属栅线来降低串联电阻从而提高填充因子，加上电池前表面场以及优良钝化作用带来的开路电压增益，从而提高电池转换效率。

2、现有的对于n型硅基底的tbc电池的p区多晶硅层的制备一般采用均匀发射极，导致p区多晶硅层的掺杂温度较低，并且为避免掺杂源击穿隧穿氧化层，p区沉积的多晶硅层通常较厚，本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种TBC电池的制备方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，利用预设高温条件，在所述第一区域制备第一隧穿氧化层和第一掺杂层，包括：

3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，采用硼扩散工艺，在所述预设高温条件下对形成所述第一本征硅层的所述N型硅基底进行硼掺杂，形成所述第一掺杂层，包括：

4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述预设高温条件T满足：T＞1000℃。

5.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，形成所述第一掺杂层的时间为预设时间，所述预设时间t满足：30min≤t≤40min。...

【技术特征摘要】

1.一种tbc电池的制备方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，利用预设高温条件，在所述第一区域制备第一隧穿氧化层和第一掺杂层，包括：

3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，采用硼扩散工艺，在所述预设高温条件下对形成所述第一本征硅层的所述n型硅基底进行硼掺杂，形成所述第一掺杂层，包括：

4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述预设高温条件t满足：t＞1000℃。

5.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，形成所述第一掺杂层的时间为预设时间，所述预设时间t满足：30min≤t≤40min。

6.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述第一掺杂层的厚度h满足：250nm≤h≤380nm；和/或，所述第一掺杂层的浓度n满足：n＞7e19cm-3。

7.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述管氏扩散设备的反应腔室内用于通入三氯化硼和氧气，且通入的所述三氯化硼的流量和所述氧气的流量之间的比例m满足：1...

【专利技术属性】
技术研发人员：宋彭苏，季益民，戴俊，张寻寻，陈彪，刘汪利，李灵芝，李家栋，胥星星，苏春阳，苑北海，舒华富，
申请(专利权)人：一道新能源科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：