霍尔传感器及其制备方法技术

本申请公开了一种霍尔传感器及其制备方法，其中霍尔传感器包括：衬底、沟道层、势垒层、栅极、第一电极和第二电极、第三电极和第四电极。其中，沟道层设置于衬底上，势垒层设置于沟道层的远离衬底的一侧，栅极设置于势垒层的远离衬底的一侧。第一电极、第二电极、第三电极与第四电极设置于势垒层的远离衬底的一侧，沿平行于衬底的第一方向，第一电极与第二电极设置于栅极的相对两侧，沿平行于衬底的第二方向，第三电极与第四电极设置于栅极的相对两侧。其中第二方向与第一方向相交叉。通过在栅极上施加电压，降低材料中载流子浓度，并且通过调整施加在栅极上的电压大小，调控材料中载流子浓度大小，从而实现对霍尔传感器灵敏度的调控。

【技术实现步骤摘要】

本申请属于半导体，尤其涉及一种霍尔传感器及其制备方法。

技术介绍

1、霍尔传感器具有无接触测量、宽量程范围、高精度和稳定性、快速响应时间、适应高频电流、抗干扰能力强等优势，使得其在电网、汽车等领域具有广阔的应用前景。然而，受材料特性影响，部分霍尔传感器灵敏度较低且不可调控，如何调控霍尔传感器的灵敏度是目前研究的一个方向。

技术实现思路

1、本申请提供一种霍尔传感器及其制备方法，旨在实现对器件灵敏度的调控。

2、第一方面，本申请提供了一种霍尔传感器，包括：衬底、沟道层、势垒层、栅极、第一电极和第二电极、第三电极和第四电极。其中，沟道层设置于衬底上，势垒层设置于沟道层的远离衬底的一侧，栅极设置于势垒层的远离衬底的一侧。第一电极和第二电极设置于势垒层的远离衬底的一侧，沿平行于衬底的第一方向，第一电极与第二电极设置于栅极的相对两侧。第三电极和第四电极设置于势垒层的远离衬底的一侧，沿平行于衬底的第二方向，第三电极与第四电极设置于栅极的相对两侧。其中第二方向与第一方向相交叉。并且，第一电极的部分和第二电极的部本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种霍尔传感器，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的霍尔传感器，其特征在于，所述势垒层包括中间部分和周边部分，所述周边部分位于所述中间部分的四周；

3.根据权利要求2所述的霍尔传感器，其特征在于，所述中间部分包括远离所述衬底的第一表面，所述周边部分包括远离所述衬底的第二表面；

4.根据权利要求2所述的霍尔传感器，其特征在于，所述中间部分的厚度与所述周边部分的厚度的比例大于或等于0.23，且小于1。

5.根据权利要求2所述的霍尔传感器，其特征在于，所述中间部分的厚度范围为7nm～20nm，所述周边部分的厚度范围为15nm～30nm...

【技术特征摘要】

1.一种霍尔传感器，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的霍尔传感器，其特征在于，所述势垒层包括中间部分和周边部分，所述周边部分位于所述中间部分的四周；

3.根据权利要求2所述的霍尔传感器，其特征在于，所述中间部分包括远离所述衬底的第一表面，所述周边部分包括远离所述衬底的第二表面；

4.根据权利要求2所述的霍尔传感器，其特征在于，所述中间部分的厚度与所述周边部分的厚度的比例大于或等于0.23，且小于1。

5.根据权利要求2所述的霍尔传感器，其特征在于，所述中间部分的厚度范围为7nm～20nm，所述周边部分的厚度范围为15nm～30nm。

6.根据权利要求1～5中任一...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘云鹏，孙剑文，卓启明，于雨，
申请(专利权)人：合肥美镓传感科技有限公司，
类型：发明
国别省市：