【技术实现步骤摘要】
本申请涉及集成电路，特别是涉及一种背照式图像传感器及其制备方法、电子设备。
技术介绍
1、图像传感器作为一种被广泛应用于消费电子、安防监控、汽车电子、机器视觉等众多领域的光电转换器件。根据金属线路与光接收层的放置位置，将其分为前照式和背照式两种，其中，背照式（backside illuminated，bsi）图像传感器具有更高的灵敏度、更好的布线布局以及允许高速记录等优点，常应用于对图像传感器像素性能要求较高的领域。
2、然而，在进入深亚微米工艺的当今，传统的bsi前段制程中需要采用高能量离子植入（ion implantation，imp）制备二极管结构，以形成光敏区的方式，将可能导致衬底表面损伤。不均匀的离子注入还会导致不同像素之间的信号串扰，从而阻碍bsi图像传感器性能的进一步提升。
技术实现思路
1、基于此，有必要针对现有技术中的技术问题，提供一种背照式图像传感器及其制备方法、电子设备，至少能够避免背照式图像传感器在制备光电二极管过程中因imp造成的不必要损伤。
<...【技术保护点】
1.一种背照式图像传感器制备方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的背照式图像传感器制备方法，其特征在于，形成所述多个第一隔离部包括：
3.根据权利要求1所述的背照式图像传感器制备方法，其特征在于，形成所述侧壁半导体层包括：
4.根据权利要求1-3任一项所述的背照式图像传感器制备方法，其特征在于，所述隔离层包含硼；于所述第一凹槽内形成底层光敏层包括：
5.根据权利要求4所述的背照式图像传感器制备方法，其特征在于，形成所述顶层光敏层包括：
6.根据权利要求5所述的背照式图像传感器制备方法，其特征在于，...
【技术特征摘要】
1.一种背照式图像传感器制备方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的背照式图像传感器制备方法，其特征在于，形成所述多个第一隔离部包括：
3.根据权利要求1所述的背照式图像传感器制备方法，其特征在于，形成所述侧壁半导体层包括：
4.根据权利要求1-3任一项所述的背照式图像传感器制备方法，其特征在于，所述隔离层包含硼；于所述第一凹槽内形成底层光敏层包括：
5.根据权利要求4所述的背照式图像传感器制备方法，其特征在于，形...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈维邦，
申请(专利权)人：合肥晶合集成电路股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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