【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及晶体生长及设备和工艺，具体涉及一种用于mocvd与mbe晶圆互联的系统及方法。
技术介绍
1、金属有机化学气相沉积系统(mocvd)是在气相外延生长(vpe)的基础上发展起来的一种新型气相外延生长技术。分子束外延系统(mbe)是一种化合物半导体多层薄膜的物理淀积技术。mocvd和mbe是目前在半导体领域常用的两种外延生长设备，广泛应用于光电子、微电子芯片研制及大规模生产。mocvd技术是以ⅲ族、ⅱ族元素的有机化合物和v、ⅵ族元素的氢化物等作为晶体生长源材料，以热分解反应方式在衬底上进行气相外延，生长室真空度在100torr左右，具有较高的速率、较低的成本、较高的控制灵活性、较好工艺重复性以及较简单的设备结构等优点，成为了目前市场上最为普及的外延生长技术。
2、mbe其基本原理是在超高真空条件下，由装有各种所需组分的炉子加热而产生的蒸气，经小孔校直后形成的分子束或原子束，直接喷射到适当温度的单晶晶圆上，同时控制分子束对晶圆扫描，就可使分子或原子按晶体排列一层层地长在晶圆上形成薄膜。因其出色的材料生长质量，精确的材...
【技术保护点】
1.一种用于MOCVD与MBE晶圆互联的系统，其特征在于，包括依次对接的MOCVD生长室(1)、MOCVD过渡室(2)、MOCVD传输室(3)、第一腔室(4)、第二腔室(5)、第三腔室(6)、CDC腔室(7)和MBE生长室(8)，相邻腔室之间通过隔离阀(41)进行隔离；
2.根据权利要求1所述的用于MOCVD与MBE晶圆互联的系统，其特征在于，所述勾片装置(42)包括第一驱动件(421)、导杆(424)和钩爪(425)；所述第一驱动件(421)设置在第一腔室(4)外，所述导杆(424)的一端与第一驱动件(421)的输出端连接，导杆(424)的另一端穿过连接...
【技术特征摘要】
1.一种用于mocvd与mbe晶圆互联的系统，其特征在于，包括依次对接的mocvd生长室(1)、mocvd过渡室(2)、mocvd传输室(3)、第一腔室(4)、第二腔室(5)、第三腔室(6)、cdc腔室(7)和mbe生长室(8)，相邻腔室之间通过隔离阀(41)进行隔离；
2.根据权利要求1所述的用于mocvd与mbe晶圆互联的系统，其特征在于，所述勾片装置(42)包括第一驱动件(421)、导杆(424)和钩爪(425)；所述第一驱动件(421)设置在第一腔室(4)外，所述导杆(424)的一端与第一驱动件(421)的输出端连接，导杆(424)的另一端穿过连接口(426)密封延伸至第一腔室(4)内，且导杆(424)的端部设有钩爪(425)；在第一驱动件(421)的驱动下，导杆(424)在第一腔室(4)内移动，并延伸至晶圆(2111)上方，升降台(427)上升，导杆(424)在第一腔室(4)内缩回，带动钩爪(425)钩住晶圆(2111)上的缺口(21111)，以勾起晶圆(2111)，便于传样杆(51)将晶圆(2111)单独取走。
3.根据权利要求2所述的用于mocvd与mbe晶圆互联的系统，其特征在于，所述勾片装置(42)还包括波纹管(422)和密封组件(423)，所述波纹管(422)套设在导杆(424)外侧，波纹管(422)的一端与导杆(424)的端部密封连接，波纹管(422)的另一端通过密封组件(423)与连接口(426)密封连接。
4.根据权利要求2所述的用于mocvd与mbe晶圆互联的系统，其特征在于，所述垂直升降组件包括结构相同且对称设置在第二腔室(5)中的第一磁力杆组件(52)和第二磁力杆组件(55)，且第一磁力杆组件(52)上方设有升降机构(54)；所述托盘组件包括结构相同的第一托盘(53)和第二托盘(56)，第一磁力杆组件(52)与第一托盘(53)可拆卸连接，第二磁力杆组件(55)与第二托盘(56)可拆卸连接；当传样杆(51)将晶圆(2111)传送到第二腔室(5)中时，第一磁力杆组件(52)带动第一托盘(53)上升至传样杆(51)下方，升降机构(54)升降，以承接晶圆(2111)，并将晶圆(2111)放置在第一托盘(53)上，第二磁力杆组件(55)带动第二托盘(56)下降盖合在第一托盘(53)上。
5.根据权利要求4所述的用于mocvd与mbe晶圆互联的系统，其特征在于，所述水平翻转组件包括结构相同且对称设置在第二腔室(5)中的第三磁力杆组件(57)和第四磁力杆组件(58)，所述第三磁力杆组件(57)包括水平磁力杆(571)、方形销(572)和驱动件，所述水平磁力杆(571)的一端与驱动件的输出轴连接，水平磁...
【专利技术属性】
技术研发人员：王炳根，魏唯，吕文利，陈峰武，李智，刘家强，高海明，
申请(专利权)人：湖南烁科晶磊半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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