【技术实现步骤摘要】
本公开实施例涉及半导体，尤其涉及一种半导体器件及其制备方法、电子设备。
技术介绍
1、动态随机存取存储器(dynamic random access memory，dram)是一种半导体存储器。和静态存储器相比，dram存储器具有结构较为简单、制造成本较低、容量密度较高的优点，随着技术的发展，dram存储器的应用日益广泛。
2、为了实现数据信息的存储或者读取，互连结构是dram存储器中不可或缺的结构，通常互连层通过与器件中的接触插塞连接将信号引出，然而目前接触插塞与互连层的导电结构的接触电阻较大，降低了半导体器件的良率。
技术实现思路
1、根据本公开实施例的第一方面，提供一种半导体器件包括：基底，包括阵列区和环绕阵列区的外围区，阵列区包括第一晶体管，外围区包括第二晶体管；着陆焊盘，位于阵列区，并电连接第一晶体管；第一互连层，位于外围区，并电连接第二晶体管；电容器，电容器位于阵列区，并通过着陆焊盘电连接第一晶体管；多个层间介质层，多个层间介质层覆盖第一互连层，多个层间介质层中具有...
【技术保护点】
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，底部的所述接触孔的孔径呈先增大后减小的趋势，或者，孔径呈逐渐增大的趋势。
3.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述多个层间介质层中包含与所述电容器中电容介质层相同的材料。
4.根据权利要求1-3任一项所述的半导体器件，其特征在于，所述多个层间介质层包括：
5.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括：
6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述多个层间介质层中包含与所述电容器中电容介质层相同的材料，且
【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，底部的所述接触孔的孔径呈先增大后减小的趋势，或者，孔径呈逐渐增大的趋势。
3.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述多个层间介质层中包含与所述电容器中电容介质层相同的材料。
4.根据权利要求1-3任一项所述的半导体器件，其特征在于，所述多个层间介质层包括：
5.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括：
6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述多个层间介质层中包含与所述电容器中电容介质层相同的材料，且二者同时形成。
...
【专利技术属性】
技术研发人员：严勋，
申请(专利权)人：长鑫科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。