一种高灵敏的双沟道协同调控有机场效应光晶体管及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种高灵敏的双沟道协同调控有机场效应光晶体管及其制备方法。所述有机场效应光晶体管由下至上依次包括栅电极、绝缘层、有机半导体层Ⅰ、电介质层、有机半导体层Ⅱ、源电极和漏电极；有机半导体层Ⅰ和Ⅱ为相同材质的聚合物层。本发明专利技术双沟道协同调控有机场效应光晶体管能够形成超柔性双沟道协同调控有机场效应光晶体管。本发明专利技术解决了有机半导体激子结合能大、光生激子难以分离的现象，通过双沟道的界面捕获效应有效的提高了光生载流子的解离效率；在提高激子解离效率的同时，保证了高的电荷传输效率，此外，通过双层半导体的引入，可增加光吸收系数；本发明专利技术通过全溶液法可制备高灵敏的大面积光晶体管阵列，实现高集成度，利于工业生产。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种高灵敏的双沟道协同调控有机场效应光晶体管及其制备方法，属于有机光电子领域。

技术介绍

1、场效应光晶体管结合了光检测和信号放大的独特优势，在生物成像、健康监测、光热治疗和电信通讯等领域具有广泛的应用，引起了人们的极大兴趣（ chem. soc.  rev.2020, 49, 653； nat. electron.2020, 3, 251； nat. rev. mater.2020, 5, 149； adv. mater.2021, 33, 2102812）。光敏性是评价光电探测器的关键性能参数之一。高灵敏度可以有效提高光电探测器的信噪比，这对于实现高质量的成像至关重要（ chem.  mater.2019, 31, 6359； adv. funct. mater.2021, 31, 2103787； 本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种高灵敏的双沟道协同调控有机场效应光晶体管，由下至上依次包括栅电极、绝缘层、有机半导体层Ⅰ、电介质层、有机半导体层Ⅱ、源电极和漏电极；

2.根据权利要求1所述的双沟道协同调控有机场效应光晶体管，其特征在于：所述有机半导体层Ⅰ和所述有机半导体层Ⅱ的材质为聚并二噻吩-吡咯并吡咯二酮、聚[4-（4,4-十六烷基-4H-环戊[1,2-b:5,4-b'-二噻吩-2-基）-alt-[1,2,5]噻二唑并[3,4-c]吡啶]或茚并二噻吩-苯并噻二唑。

3.根据权利要求1或2所述的双沟道协同调控有机场效应光晶体管，其特征在于：所述有机半导体层Ⅰ和所述有机半导体层Ⅱ的厚度均为...

【技术特征摘要】

1.一种高灵敏的双沟道协同调控有机场效应光晶体管，由下至上依次包括栅电极、绝缘层、有机半导体层ⅰ、电介质层、有机半导体层ⅱ、源电极和漏电极；

2.根据权利要求1所述的双沟道协同调控有机场效应光晶体管，其特征在于：所述有机半导体层ⅰ和所述有机半导体层ⅱ的材质为聚并二噻吩-吡咯并吡咯二酮、聚[4-（4,4-十六烷基-4h-环戊[1,2-b:5,4-b'-二噻吩-2-基）-alt-[1,2,5]噻二唑并[3,4-c]吡啶]或茚并二噻吩-苯并噻二唑。

3.根据权利要求1或2所述的双沟道协同调控有机场效应光晶体管，其特征在于：所述有机半导体层ⅰ和所述有机半导体层ⅱ的厚度均为30-50 nm。

4.根据权利要求1-3中任一项所述的双沟道协同调控有机场效应光晶体管，其特征在于：所述电介质层的材质为极性亲水功能的聚合物；

5.权利要求1-4中任一项所述双沟道协同调控有机场效应光晶体管的制备方法，包括如下步骤：

【专利技术属性】
技术研发人员：汤庆鑫，童艳红，赵晓丽，于宏岩，
申请(专利权)人：东北师范大学，
类型：发明
国别省市：