集成驱动电路的多芯片并联氮化镓功率模块制造技术

技术编号:43900848 阅读:20 留言:0更新日期:2025-01-03 13:12
本发明专利技术提供了一种集成驱动电路的多芯片并联氮化镓功率模块,包括印刷电路板及集成于所述印刷电路板上的第一开关单元、第二开关单元及开关驱动单元;第一开关单元及第二开关单元构成半桥结构,且均包括至少两个并联的氮化镓功率芯片;每个氮化镓功率芯片均与一个开关驱动单元连接,开关驱动单元包括驱动功率输出电路及有源米勒钳位电路;驱动功率输出电路包括与氮化镓功率芯片的栅极连接的驱动栅极接口,用于驱动氮化镓功率芯片;有源米勒钳位电路连接于氮化镓功率芯片的栅极和源极之间,包括钳位端和钳位信号控制端。本发明专利技术的氮化镓功率模块在提高氮化镓功率模块的电流等级的同时确保功率模块的性能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体,特别涉及一种集成驱动电路的多芯片并联氮化镓功率模块


技术介绍

1、功率模块是将功率半导体器件按照特定功能组合并封装成一个整体的电路模块。功率模块具有集成度高、功率模块高等优点,在新能源发电、储能、电动汽车等电力电子变换领域有广泛的应用。

2、随着电力电子变化领域对高功率密度、高变换效率需求的不断提高,相较于传统硅基功率器件,氮化镓功率器件由于高开关速度、低导通电阻的优势,其在新能源发电、电动汽车等领域具有广泛的应用前景并得到了越来越多的关注。

3、然而,目前氮化镓功率器件多为单管分立器件形式,电流等级普遍较低,难以满足越来越多的大功率电力电子变化应用场合的需求。在相关技术中,通常采用键合线并联多颗氮化镓功率芯片,再把功率端子和栅极驱动回路引接至模块外部以封装为功率模块,以提升功率器件电流等级。但,上述方法将带来较大的功率回路寄生电感和栅极回路寄生电感,而氮化镓功率器件相较于传统硅基器件具有更的高开关速度,其对功率回路和栅极回路寄生电感及其敏感,这将导致严重的开关振荡、开关过冲、开关损耗、并联不平衡电流、开关串本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种集成驱动电路的多芯片并联氮化镓功率模块,其特征在于,包括印刷电路板及集成于所述印刷电路板上的第一开关单元、第二开关单元及开关驱动单元;

2.根据权利要求1所述的集成驱动电路的多芯片并联氮化镓功率模块,其特征在于,所述印刷电路板为双面电路板且具有过孔,具有相对的第一面及第二面,所述第一开关单元及所述第二开关单元设于所述第一面,所述开关驱动单元设于所述第二面与其所驱动的氮化镓功率芯片对应位置且通过所述过孔连接。

3.根据权利要求2所述的集成驱动电路的多芯片并联氮化镓功率模块,其特征在于,所述第一开关单元及所述第二开关单元中的氮化镓功率芯片均沿第一方向排列且所述...

【技术特征摘要】

1.一种集成驱动电路的多芯片并联氮化镓功率模块,其特征在于,包括印刷电路板及集成于所述印刷电路板上的第一开关单元、第二开关单元及开关驱动单元;

2.根据权利要求1所述的集成驱动电路的多芯片并联氮化镓功率模块,其特征在于,所述印刷电路板为双面电路板且具有过孔,具有相对的第一面及第二面,所述第一开关单元及所述第二开关单元设于所述第一面,所述开关驱动单元设于所述第二面与其所驱动的氮化镓功率芯片对应位置且通过所述过孔连接。

3.根据权利要求2所述的集成驱动电路的多芯片并联氮化镓功率模块,其特征在于,所述第一开关单元及所述第二开关单元中的氮化镓功率芯片均沿第一方向排列且所述第一开关单元及所述第二开关单元中相对应的两个氮化镓功率芯片沿第二方向排列,所述第一方向与所述第二方向正交。

4.根据权利要求2所述的集成驱动电路的多芯片并联氮化镓功率模块,其特征在于,所述驱动功率输出电路包括驱动芯片及驱动电阻,所述驱动电阻靠近与连接对应氮化镓功率芯片的过孔设置。

5.根据权利要求2所述的集成驱动电路的多芯片并联氮化镓功率模块,其特征在于,还包括设于所述第一面的正极功率端子、负极功率端子及交流输出端子,所述第一开关单元中氮化镓功率芯片的漏极均与所述正极功率端子连接,所述第二开关单元中氮化镓功率芯片的源极均与所述负极功率端子连接,所述第一开关单元中氮化...

【专利技术属性】
技术研发人员:曾正邹铭锐王明强丁顺陈迎
申请(专利权)人:联合汽车电子有限公司
类型:发明
国别省市:

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