【技术实现步骤摘要】
本技术涉及ald设备，特别涉及一种应用于多反应腔室的特气系统。
技术介绍
1、ald设备即原子层沉积镀膜设备，其可以在基材的表面镀覆一层单层原子厚度的薄膜，镀膜的精度十分的高，是十分先进的纳米级表面处理技术，目前ald设备已经广泛的应用在光伏制造领域。为了实现光伏平价上网，提升太阳能电池效率和降低制造成本是行业不断追求的目标。增加设备的单机产能可以有效降低单片太阳能电池片制造成本。为了提高设备产能，多反应腔室的ald设备成为一种趋势。多反应腔室ald设备通常需要配套多套特气系统，这会带来设备自身成本的增加。
技术实现思路
1、本技术的目的在于提供一种应用于多反应腔室的特气系统，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。
2、为实现上述目的，本技术提供了一种应用于多反应腔室的特气系统，包括：
3、主源瓶，所述主源瓶连接有用于通入前驱体化学品的进液管道、用于通入携源气体的第一进气管道以及用于向各反应腔室出气的第一出气管道，所述主源瓶的外壁设置有加热装置；
4、多个缓存...
【技术保护点】
1.一种应用于多反应腔室的特气系统，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的应用于多反应腔室的特气系统，其特征在于，所述第一进气管道上设置有第一进气阀（4）和第一减压阀（5），所述第一出气管道上设置有第一出气阀（6），所述进液管道上设置有进液阀（7）。
3.根据权利要求2所述的应用于多反应腔室的特气系统，其特征在于，所述第二进气管道上设置有第二进气阀（8），所述应用于多反应腔室的特气系统还包括控制器，所述控制器被配置为：
4.根据权利要求3所述的应用于多反应腔室的特气系统，其特征在于，所述控制器还被配置为：
5.根据...
【技术特征摘要】
1.一种应用于多反应腔室的特气系统，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的应用于多反应腔室的特气系统，其特征在于，所述第一进气管道上设置有第一进气阀（4）和第一减压阀（5），所述第一出气管道上设置有第一出气阀（6），所述进液管道上设置有进液阀（7）。
3.根据权利要求2所述的应用于多反应腔室的特气系统，其特征在于，所述第二进气管道上设置有第二进气阀（8），所述应用于多反应腔室的特气系统还包括控制器，所述控制器被配置为：
【专利技术属性】
技术研发人员：孙胜华，
申请(专利权)人：艾华无锡半导体科技有限公司，
类型：新型
国别省市：
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