【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种用于抛光铜的cmp浆料组成物和使用其抛光铜的方法。
技术介绍
1、需要抛光作为半导体装置的金属互连件的铜膜的工艺以确保足够高的抛光速率、铜膜相对于阻挡金属或电介质的良好抛光选择性、经抛光表面的合适平坦水平和低缺陷水平。尤其是，由于互连件和半导体层的厚度归因于图案小型化而减小，因此需要能够确保经抛光表面的高平坦度的cmp浆料。
2、用于改进平坦度的方法通常包含增加所使用的腐蚀抑制剂的量，采用聚合膜形成剂，且减小所使用的研磨剂的大小和/或含量。然而，这些方法使得关于铜的抛光速率降低，从而产生抛光速率与平坦度之间的平衡。常规地，三唑类或四唑类的化合物已用作腐蚀抑制剂。然而，尽管能够在大量使用时提供特定程度的防腐蚀，但此类三唑类或四唑类的化合物具有使得关于铜的抛光速率降低的问题。
技术实现思路
1、本专利技术的一个目的为提供一种用于抛光铜的cmp浆料组成物，其可防止对铜膜的腐蚀。
2、本专利技术的另一个目的为提供一种用于抛光铜的cmp浆料组成物，其可通过减...
【技术保护点】
1.一种用于抛光铜的CMP浆料组成物，包括：
2.根据权利要求1所述的用于抛光铜的CMP浆料组成物，其中由式1表示的所述化合物为由式1-1到式1-6中的一个表示的化合物，
3.根据权利要求1所述的用于抛光铜的CMP浆料组成物，其中所述腐蚀抑制剂是以0.001重量％到5重量％的量存在于所述CMP浆料组成物中。
4.根据权利要求1所述的用于抛光铜的CMP浆料组成物，其中所述腐蚀抑制剂更包括除由式1表示的所述化合物以外的腐蚀抑制剂。
5.根据权利要求4所述的用于抛光铜的CMP浆料组成物，其中除由式1表示的所述化合物以外的所述腐...
【技术特征摘要】
1.一种用于抛光铜的cmp浆料组成物，包括：
2.根据权利要求1所述的用于抛光铜的cmp浆料组成物，其中由式1表示的所述化合物为由式1-1到式1-6中的一个表示的化合物，
3.根据权利要求1所述的用于抛光铜的cmp浆料组成物，其中所述腐蚀抑制剂是以0.001重量％到5重量％的量存在于所述cmp浆料组成物中。
4.根据权利要求1所述的用于抛光铜的cmp浆料组成物，其中所述腐蚀抑制剂...
【专利技术属性】
技术研发人员：崔世荣，黄慈英，沈秀姸，丁元钟，卢健培，
申请(专利权)人：三星SDI株式会社，
类型：发明
国别省市：
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